一种光敏锂离子选择性吸附材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311170832.3
申请日
2023-09-12
公开(公告)号
CN117563561A
公开(公告)日
2024-02-20
发明(设计)人
区然雯 关乾 吴姁
申请人
厦门大学
申请人地址
361000 福建省厦门市思明南路422号
IPC主分类号
B01J20/26
IPC分类号
B01J20/20 B01J20/30 B01J20/34
代理机构
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218
代理人
刘小勤
法律状态
实质审查的生效
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
一种光敏锂离子选择性吸附材料及其制备方法 [P]. 
区然雯 ;
关乾 ;
吴姁 .
中国专利 :CN117563561B ,2025-10-28
[2]
一种锂离子选择性吸附膜的制备方法及其应用 [P]. 
方海平 .
中国专利 :CN114100570A ,2022-03-01
[3]
选择性吸附As+5离子吸附材料及其制备方法 [P]. 
刘预 ;
孙承兴 ;
徐慧 ;
仵彦卿 .
中国专利 :CN102172514A ,2011-09-07
[4]
选择性吸附银离子的吸附材料的制备方法 [P]. 
杨明 ;
耿旭 ;
席永清 ;
张芬芬 ;
闫伟霞 ;
路平 .
中国专利 :CN106861646B ,2017-06-20
[5]
一种Cs离子选择性吸附材料及其制备方法 [P]. 
刘海弟 ;
岳仁亮 ;
陈运法 ;
高永林 .
中国专利 :CN120346791B ,2025-10-03
[6]
一种选择性分离钯离子吸附材料的制备方法及产品 [P]. 
李敏 ;
冯建 ;
肖鹏 ;
蒋松山 ;
孟晓静 ;
唐思 .
中国专利 :CN110394152A ,2019-11-01
[7]
一种新型Cs离子选择性吸附材料及其制备方法 [P]. 
刘海弟 ;
岳仁亮 ;
陈运法 ;
高永林 .
中国专利 :CN120346791A ,2025-07-22
[8]
一种用于吸附锂离子的离子印迹材料及其制备方法 [P]. 
郑绵平 ;
丁涛 ;
邢恩袁 ;
郑越 .
中国专利 :CN115400743A ,2022-11-29
[9]
一种选择性吸附镓离子的石墨烯基表面离子印迹材料及其制备方法和应用 [P]. 
刘伟峰 ;
张曼曼 ;
梁畅 ;
刘旭光 .
中国专利 :CN115382515A ,2022-11-25
[10]
一种选择性吸附镓离子的石墨烯基表面离子印迹材料及其制备方法和应用 [P]. 
刘伟峰 ;
张曼曼 ;
梁畅 ;
刘旭光 .
中国专利 :CN115382515B ,2024-05-28