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一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010788633.9
申请日：
2020-08-07
公开(公告)号：
CN114069388B
公开(公告)日：
2024-02-06
发明(设计)人：
邓桃 刘飞 于军
申请人：
山东华光光电子股份有限公司
申请人地址：
250101 山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号
IPC主分类号：
H01S5/34
IPC分类号：
H01S5/343 H01S5/20
代理机构：
济南金迪知识产权代理有限公司 37219
代理人：
王素平
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-02-06 授权 授权
共 50 条
[1]
一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
邓桃 ;
刘飞 ;
于军 .
中国专利 :CN114069388A ,2022-02-18
[2]
一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
秦鹏 ;
朱振 ;
邓桃 .
中国专利 :CN113991427A ,2022-01-28
[3]
一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
邓桃 ;
赵凯迪 .
中国专利 :CN114142343A ,2022-03-04
[4]
一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
邓桃 ;
赵凯迪 .
中国专利 :CN114142343B ,2024-01-02
[5]
一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
邓桃 ;
张新 ;
赵凯迪 .
中国专利 :CN114976873B ,2025-07-11
[6]
一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
朱振 ;
邓桃 .
中国专利 :CN114765344B ,2025-07-11
[7]
一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
朱振 ;
邓桃 .
中国专利 :CN114765344A ,2022-07-19
[8]
一种限制层应变优化封装应力的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
朱振 ;
张新 ;
辛欣 ;
王颖 .
中国专利 :CN115085007A ,2022-09-20
[9]
一种限制层应变优化封装应力的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
朱振 ;
张新 ;
辛欣 ;
王颖 .
中国专利 :CN115085007B ,2025-06-06
[10]
双非对称波导层的小功率红光半导体激光器及制备方法 [P]. 
刘飞 ;
秦鹏 ;
朱振 ;
邓桃 .
中国专利 :CN113991427B ,2024-03-15
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