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双非对称波导层的小功率红光半导体激光器及制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010730261.4
申请日
:
2020-07-27
公开(公告)号
:
CN113991427B
公开(公告)日
:
2024-03-15
发明(设计)人
:
刘飞
秦鹏
朱振
邓桃
申请人
:
山东华光光电子股份有限公司
申请人地址
:
250101 山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号
IPC主分类号
:
H01S5/30
IPC分类号
:
H01S5/20
H01S5/343
代理机构
:
济南金迪知识产权代理有限公司 37219
代理人
:
孙倩文
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-15
授权
授权
共 50 条
[1]
一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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刘飞
;
秦鹏
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秦鹏
;
朱振
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朱振
;
邓桃
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邓桃
.
中国专利
:CN113991427A
,2022-01-28
[2]
一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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刘飞
;
于军
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于军
;
邓桃
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邓桃
;
赵凯迪
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赵凯迪
.
中国专利
:CN114142343A
,2022-03-04
[3]
一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
刘飞
;
于军
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山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
于军
;
邓桃
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山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
邓桃
;
赵凯迪
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
赵凯迪
.
中国专利
:CN114142343B
,2024-01-02
[4]
一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
邓桃
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山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
邓桃
;
刘飞
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山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
刘飞
;
于军
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山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
于军
.
中国专利
:CN114069388B
,2024-02-06
[5]
一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
邓桃
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邓桃
;
刘飞
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刘飞
;
于军
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于军
.
中国专利
:CN114069388A
,2022-02-18
[6]
一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
刘飞
;
邓桃
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山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
邓桃
;
张新
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山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
张新
;
赵凯迪
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
赵凯迪
.
中国专利
:CN114976873B
,2025-07-11
[7]
一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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刘飞
;
于军
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于军
;
朱振
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朱振
;
邓桃
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邓桃
.
中国专利
:CN114765344A
,2022-07-19
[8]
一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
刘飞
;
于军
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
于军
;
朱振
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
朱振
;
邓桃
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
邓桃
.
中国专利
:CN114765344B
,2025-07-11
[9]
一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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刘飞
;
张新
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张新
;
于军
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于军
.
中国专利
:CN114865455A
,2022-08-05
[10]
一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法
[P].
刘飞
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
刘飞
;
张新
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
张新
;
于军
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机构:
山东华光光电子股份有限公司
山东华光光电子股份有限公司
于军
.
中国专利
:CN114865455B
,2025-11-07
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