双非对称波导层的小功率红光半导体激光器及制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010730261.4
申请日
2020-07-27
公开(公告)号
CN113991427B
公开(公告)日
2024-03-15
发明(设计)人
刘飞 秦鹏 朱振 邓桃
申请人
山东华光光电子股份有限公司
申请人地址
250101 山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号
IPC主分类号
H01S5/30
IPC分类号
H01S5/20 H01S5/343
代理机构
济南金迪知识产权代理有限公司 37219
代理人
孙倩文
法律状态
授权
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
秦鹏 ;
朱振 ;
邓桃 .
中国专利 :CN113991427A ,2022-01-28
[2]
一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
邓桃 ;
赵凯迪 .
中国专利 :CN114142343A ,2022-03-04
[3]
一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
邓桃 ;
赵凯迪 .
中国专利 :CN114142343B ,2024-01-02
[4]
一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
邓桃 ;
刘飞 ;
于军 .
中国专利 :CN114069388B ,2024-02-06
[5]
一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
邓桃 ;
刘飞 ;
于军 .
中国专利 :CN114069388A ,2022-02-18
[6]
一种优化限制层掺杂的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
邓桃 ;
张新 ;
赵凯迪 .
中国专利 :CN114976873B ,2025-07-11
[7]
一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
朱振 ;
邓桃 .
中国专利 :CN114765344A ,2022-07-19
[8]
一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
于军 ;
朱振 ;
邓桃 .
中国专利 :CN114765344B ,2025-07-11
[9]
一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
张新 ;
于军 .
中国专利 :CN114865455A ,2022-08-05
[10]
一种应变非对称结构的半导体激光器及其制备方法 [P]. 
刘飞 ;
张新 ;
于军 .
中国专利 :CN114865455B ,2025-11-07