一种静电式双稳态RF MEMS开关及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210796876.6

申请日：

2022-07-05

公开(公告)号：

CN115295362B

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

赵嘉昊贺如松孙振词

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H01H59/00

IPC分类号：

H01H3/32 H01H11/00 H01H11/04

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种静电驱动双稳态RFMEMS开关 [P].

田文超 ;

陈志强 ;

扈江磊 .

中国专利 :CN103762123A ,2014-04-30

[2]

RF MEMS开关及其制备方法 [P].

胥超 ;

徐永青 .

中国专利 :CN101763987A ,2010-06-30

[3]

一种弹性微桥式RF MEMS开关 [P].

杨俊民 .

中国专利 :CN103943418A ,2014-07-23

[4]

一种弹性微桥式RF MEMS开关 [P].

杨俊民 .

中国专利 :CN203910688U ,2014-10-29

[5]

一种电容式RF MEMS开关 [P].

杨俊民 .

中国专利 :CN103943417A ,2014-07-23

[6]

一种电容式RF MEMS开关 [P].

杨俊民 .

中国专利 :CN203910687U ,2014-10-29

[7]

一种低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法 [P].

钱娟 ;

王鹏飞 ;

陈泓宇 .

中国专利 :CN109911845A ,2019-06-21

[8]

一种基于V型梁双稳态结构的MEMS惯性开关 [P].

陈余 ;

杨婷婷 ;

李小石 ;

杜亦佳 .

中国专利 :CN109103049A ,2018-12-28

[9]

一种基于三段式双稳态梁结构的MEMS惯性开关 [P].

陈余 ;

杨婷婷 ;

李小石 ;

杜亦佳 .

中国专利 :CN109243912A ,2019-01-18

[10]

一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法 [P].

党元兰 ;

赵飞 ;

徐亚新 ;

刘晓兰 ;

梁广华 ;

陈雨 ;

庄治学 ;

唐小平 ;

周拥华 ;

李朝 ;

刘志斌 ;

李可 ;

龚孟磊 ;

刘颖 ;

何超 ;

邢伯仑 .

中国专利 :CN105762019A ,2016-07-13

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