硅基氮化镓外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311208709.6

申请日：

2023-09-18

公开(公告)号：

CN117457809A

公开(公告)日：

2024-01-26

发明(设计)人：

王瑞敖辉严鹏庄文荣

申请人：

东莞市中镓半导体科技有限公司

申请人地址：

523000 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/44 H01L21/335 H01L29/778

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

公开

国省代码：

广东省东莞市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-26	公开	公开
2024-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20230918

共 50 条

[1]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786B ,2024-05-28

[2]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786A ,2021-10-22

[3]

硅基氮化镓外延结构及其制造方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN105720088A ,2016-06-29

[4]

硅基氮化镓铝外延片及其制备方法 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115295701B ,2022-12-30

[5]

硅基氮化镓HEMT器件的外延结构及其制备方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 .

中国专利 :CN119997543A ,2025-05-13

[6]

硅基氮化镓LED外延结构的制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105914270B ,2016-08-31

[7]

氮化镓基LED外延结构及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 ;

涂逵 .

中国专利 :CN115020561A ,2022-09-06

[8]

一种硅基氮化镓外延结构 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN210805810U ,2020-06-19

[9]

一种硅基氮化镓外延片及其制备方法 [P].

王彦君 ;

黄飞 ;

杜飞 ;

罗永恒 ;

王洪朝 ;

谢路肖 ;

吴秀秀 ;

陈海波 .

中国专利 :CN118380317A ,2024-07-23

[10]

一种硅基氮化镓外延片及其制备方法 [P].

王彦君 ;

黄飞 ;

杜飞 ;

罗永恒 ;

王洪朝 ;

谢路肖 ;

吴秀秀 ;

陈海波 .

中国专利 :CN118380317B ,2025-03-21

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