硅基氮化镓HEMT器件的外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411352812.2

申请日：

2024-09-26

公开(公告)号：

CN119997543A

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

倪贤锋范谦

申请人：

苏州汉骅半导体有限公司

申请人地址：

215127 江苏省苏州市苏州工业园区长阳街259号钟园工业坊B0-1F西侧

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10 H10D62/85 H10D62/852

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省苏州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20240926
2025-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786B ,2024-05-28

[2]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786A ,2021-10-22

[3]

硅基氮化镓HEMT器件及其制造方法 [P].

梁帅 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN117497412A ,2024-02-02

[4]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

王瑞 ;

敖辉 ;

严鹏 ;

庄文荣 .

中国专利 :CN117457809A ,2024-01-26

[5]

一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法 [P].

伊艾伦 ;

欧欣 ;

周民 .

中国专利 :CN116705605B ,2024-06-18

[6]

氮化镓HEMT器件的外延制备方法 [P].

石以瑄 ;

韩露 ;

林平澜 ;

石鹏环 .

中国专利 :CN119894025A ,2025-04-25

[7]

硅基氮化镓铝外延片及其制备方法 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115295701B ,2022-12-30

[8]

一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

朱友华 .

中国专利 :CN109037153A ,2018-12-18

[9]

硅基氮化镓外延结构及其制造方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN105720088A ,2016-06-29

[10]

硅衬底上外延氮化镓薄膜及制备HEMT器件的方法 [P].

方浩 .

中国专利 :CN105719968A ,2016-06-29

← 1 2 3 4 5 →