沉积环及薄膜沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322602796.5

申请日：

2023-09-25

公开(公告)号：

CN220952025U

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

王斌崔浩姚磐刘金张京晶

申请人：

江苏卓胜微电子股份有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层

IPC主分类号：

C23C14/50

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

卢炳琼

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	授权	授权
2024-10-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):C23C 14/50登记生效日:20240926变更事项:专利权人变更前权利人:江苏卓胜微电子股份有限公司变更后权利人:无锡芯卓湖光半导体有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层变更后权利人:214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777(A3)幢10层

共 50 条

[1]

泵环及薄膜沉积设备 [P].

陈广辉 .

中国专利 :CN215947404U ,2022-03-04

[2]

硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

张山 ;

金京俊 ;

王晖 ;

谢素兰 ;

陈宇 .

中国专利 :CN119506846A ,2025-02-25

[3]

硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

张山 ;

金京俊 ;

王晖 ;

谢素兰 ;

陈宇 .

中国专利 :CN119506846B ,2025-12-30

[4]

薄膜沉积装置、薄膜沉积方法及薄膜沉积设备 [P].

朱志君 ;

王晖 ;

金京俊 .

中国专利 :CN120193262A ,2025-06-24

[5]

薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备 [P].

许波 ;

曹立新 ;

范慧 ;

朱北沂 .

中国专利 :CN202576547U ,2012-12-05

[6]

薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

林俊成 .

中国专利 :CN112442683A ,2021-03-05

[7]

薄膜沉积方法及薄膜沉积设备 [P].

骆金龙 .

中国专利 :CN113718219A ,2021-11-30

[8]

薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

许波 ;

曹立新 ;

范慧 ;

朱北沂 .

中国专利 :CN103103480A ,2013-05-15

[9]

磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备 [P].

杨玉杰 ;

张同文 ;

马新艳 ;

郑金果 ;

王宽冒 ;

郭浩 ;

贾强 .

中国专利 :CN207331049U ,2018-05-08

[10]

薄膜沉积设备 [P].

李怀健 ;

安扬 ;

金贞 ;

田清勇 ;

范斌 ;

戴忠和 ;

武笑雨 .

中国专利 :CN223214170U ,2025-08-12

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