硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311073184.X

申请日：

2023-08-23

公开(公告)号：

CN119506846A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

张山金京俊王晖谢素兰陈宇

申请人：

盛美半导体设备(上海)股份有限公司盛美半导体设备韩国有限公司清芯科技有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢

IPC主分类号：

C23C16/50

IPC分类号：

C23C16/458 C23C16/46 C23C16/455 C23C16/52

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

杜娟

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	授权	授权
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/50申请日:20230823
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

张山 ;

金京俊 ;

王晖 ;

谢素兰 ;

陈宇 .

中国专利 :CN119506846B ,2025-12-30

[2]

沉积环及薄膜沉积设备 [P].

王斌 ;

崔浩 ;

姚磐 ;

刘金 ;

张京晶 .

中国专利 :CN220952025U ,2024-05-14

[3]

薄膜沉积装置、薄膜沉积方法及薄膜沉积设备 [P].

朱志君 ;

王晖 ;

金京俊 .

中国专利 :CN120193262A ,2025-06-24

[4]

薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

林俊成 .

中国专利 :CN112442683A ,2021-03-05

[5]

薄膜沉积方法及薄膜沉积设备 [P].

骆金龙 .

中国专利 :CN113718219A ,2021-11-30

[6]

薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

许波 ;

曹立新 ;

范慧 ;

朱北沂 .

中国专利 :CN103103480A ,2013-05-15

[7]

硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备 [P].

刘兵 .

中国专利 :CN113684470A ,2021-11-23

[8]

硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备 [P].

刘兵 .

中国专利 :CN113684470B ,2024-03-26

[9]

薄膜沉积设备及使用该薄膜沉积设备的薄膜沉积方法 [P].

李勇锡 ;

许明洙 ;

赵喆来 ;

洪祥赫 ;

李正浩 ;

郑石源 ;

金善浩 ;

安美罗 .

中国专利 :CN103184431B ,2013-07-03

[10]

薄膜沉积设备和薄膜沉积方法 [P].

韩亚朋 ;

骆金龙 .

中国专利 :CN113430501A ,2021-09-24

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