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场效应晶体管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210900736.9
申请日
:
2022-07-28
公开(公告)号
:
CN117525158A
公开(公告)日
:
2024-02-06
发明(设计)人
:
李炫璋
魏洋
范守善
张跃钢
申请人
:
清华大学
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请人地址
:
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H01L29/45
H01L21/34
代理机构
:
深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311
代理人
:
陈实顺
法律状态
:
公开
国省代码
:
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-06
公开
公开
2024-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20220728
共 50 条
[1]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法
[P].
徐慧龙
论文数:
0
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0
徐慧龙
;
秦旭东
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0
秦旭东
;
张臣雄
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张臣雄
.
中国专利
:CN108475680A
,2018-08-31
[2]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
刘明
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0
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0
刘明
;
韩买兴
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韩买兴
;
姬濯宇
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姬濯宇
;
商立伟
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商立伟
;
刘欣
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刘欣
;
王宏
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王宏
.
中国专利
:CN102479820A
,2012-05-30
[3]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
黄晓橹
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0
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0
黄晓橹
.
中国专利
:CN104599968A
,2015-05-06
[4]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
倪崇尧
论文数:
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0
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0
机构:
湖南虹安微电子有限责任公司
湖南虹安微电子有限责任公司
倪崇尧
.
中国专利
:CN120812987A
,2025-10-17
[5]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
卢年端
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卢年端
;
李泠
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李泠
;
揣喜臣
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揣喜臣
;
杨冠华
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杨冠华
;
耿玓
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耿玓
;
刘明
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刘明
.
中国专利
:CN110098256A
,2019-08-06
[6]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
张天夫
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张天夫
;
张立辉
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张立辉
;
金元浩
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金元浩
;
李群庆
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李群庆
;
范守善
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范守善
.
中国专利
:CN114613676A
,2022-06-10
[7]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
颜丙杰
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0
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颜丙杰
.
中国专利
:CN112864239A
,2021-05-28
[8]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
倪炜江
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机构:
安徽芯塔电子科技有限公司
安徽芯塔电子科技有限公司
倪炜江
;
郝志杰
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机构:
安徽芯塔电子科技有限公司
安徽芯塔电子科技有限公司
郝志杰
.
中国专利
:CN118352393A
,2024-07-16
[9]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
白云
;
王家乐
论文数:
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
王家乐
;
论文数:
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机构:
刘新宇
;
论文数:
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机构:
郝继龙
;
论文数:
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机构:
李轩
;
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机构:
汤益丹
;
论文数:
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机构:
田晓丽
.
中国专利
:CN121240525A
,2025-12-30
[10]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
岳德武
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岳德武
;
王新中
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王新中
;
刘新科
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刘新科
.
中国专利
:CN115360258A
,2022-11-18
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