一种基于中字形行波电极结构的薄膜铌酸锂光调制器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311625375.2
申请日
2023-11-30
公开(公告)号
CN117850074A
公开(公告)日
2024-04-09
发明(设计)人
王曰海 杨娟 戴庭舸
申请人
浙江大学绍兴研究院
申请人地址
312000 浙江省绍兴市越城区迪荡街道平江路2号绍兴水木湾区科学园3号楼
IPC主分类号
G02F1/035
IPC分类号
G02F1/03 G02B6/12
代理机构
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253
代理人
王浩杰
法律状态
公开
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器 [P]. 
王曰海 ;
杨娟 ;
戴庭舸 .
中国专利 :CN117850073A ,2024-04-09
[2]
基于铌酸锂单晶薄膜的宽带行波电光调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN107305297A ,2017-10-31
[3]
一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器 [P]. 
李萍 ;
范宝泉 .
中国专利 :CN206497266U ,2017-09-15
[4]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN115079450A ,2022-09-20
[5]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN114280820A ,2022-04-05
[6]
一种基于锯齿形电极结构的薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
鞠涛 ;
杨蜜 ;
尹怡辉 ;
付东正 .
中国专利 :CN120255186A ,2025-07-04
[7]
铌酸锂光调制器 [P]. 
卢伯崇 ;
杨文宗 .
中国专利 :CN2935198Y ,2007-08-15
[8]
一种铌酸锂光调制器 [P]. 
朱忻 ;
王子昊 ;
沈雷 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN203658692U ,2014-06-18
[9]
一种基于双电容三维电极结构的薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
黄权东 ;
刘晓锋 ;
许鸥 ;
秦玉文 .
中国专利 :CN117784452A ,2024-03-29
[10]
基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器及其制备方法 [P]. 
李岩 ;
付振东 ;
康佳 .
中国专利 :CN107065232A ,2017-08-18