一种热电半导体器件寿命预测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311803097.5

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN118114438A

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

崔博然吴永庆李明唐泽丰

申请人：

杭州大和热磁电子有限公司

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号

IPC主分类号：

G06F30/20

IPC分类号：

G06F30/398 G06F119/02 G06F119/08 G06F119/12

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

汪利胜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/20申请日:20231226
2024-05-31	公开	公开
2025-09-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):G06F 30/20登记生效日:20250828变更事项:申请人变更前权利人:杭州大和热磁电子有限公司变更后权利人:杭州先导热电科技有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:310053 浙江省杭州市滨江区滨康路668号、777号变更后权利人:311100 浙江省杭州市滨江区滨康路668号D幢2楼

共 50 条

[1]

一种提高热电半导体器件高温环境使用寿命的方法 [P].

崔博然 ;

李明 ;

吴永庆 ;

唐泽丰 .

中国专利 :CN117915744A ,2024-04-19

[2]

半导体器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质 [P].

鹿祥宾 ;

梁英宗 ;

任宇路 ;

张肖 ;

白志霞 ;

程昱舒 ;

单书珊 ;

肖春 ;

钟明琛 ;

张雪瑞 ;

刘波 .

中国专利 :CN118965818B ,2025-02-18

[3]

半导体器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质 [P].

鹿祥宾 ;

梁英宗 ;

任宇路 ;

张肖 ;

白志霞 ;

程昱舒 ;

单书珊 ;

肖春 ;

钟明琛 ;

张雪瑞 ;

刘波 .

中国专利 :CN118965818A ,2024-11-15

[4]

一种基于闪烁噪声的预测半导体器件寿命的方法 [P].

张睿 ;

姜益 .

中国专利 :CN117890745A ,2024-04-16

[5]

半导体器件、半导体器件模块及半导体器件模块制造方法 [P].

青木大 .

中国专利 :CN101587885B ,2009-11-25

[6]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[7]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

大隅贵寿 .

中国专利 :CN1945821A ,2007-04-11

[8]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

征矢野伸 .

中国专利 :CN103930991A ,2014-07-16

[9]

半导体器件的制造方法,半导体器件的评估方法和半导体器件 [P].

矶部敦生 .

中国专利 :CN1873949A ,2006-12-06

[10]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

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