一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410362154.9

申请日：

2024-03-28

公开(公告)号：

CN118014988B

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

邵广育鞠少功卜英瀚

申请人：

浙江康鹏半导体有限公司

申请人地址：

321112 浙江省金华市兰溪市兰江街道创新大道1199号

IPC主分类号：

G06T7/00

IPC分类号：

G06T7/13 G06T7/168 G06T7/62

代理机构：

杭州泓呈祥专利代理事务所(普通合伙) 33350

代理人：

王丰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06T 7/00申请日:20240328
2024-06-07	授权	授权
2024-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种砷化镓衬底晶片缺陷智能检测方法 [P].

邵广育 ;

鞠少功 ;

卜英瀚 .

中国专利 :CN118014988A ,2024-05-10

[2]

一种固定机构及砷化镓衬底晶片打磨装置 [P].

刘砚滨 ;

于会永 ;

赵春锋 ;

赵中阳 .

中国专利 :CN220516435U ,2024-02-23

[3]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN109801836A ,2019-05-24

[4]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN115101401A ,2022-09-23

[5]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN104969328A ,2015-10-07

[6]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN107634000B ,2018-01-26

[7]

一种砷化镓超薄衬底 [P].

易德福 ;

守建川 .

中国专利 :CN206477059U ,2017-09-08

[8]

砷化镓衬底材料制备方法 [P].

易德福 ;

守建川 .

中国专利 :CN106206841A ,2016-12-07

[9]

一种砷化镓衬底剥离复用方法 [P].

张建港 ;

程保义 ;

郭志胜 ;

崔鹏 ;

铁剑锐 ;

李晓东 ;

杜永超 ;

梁存宝 ;

王鑫 ;

肖志斌 ;

胡蝶 ;

徐贺 .

中国专利 :CN117832325A ,2024-04-05

[10]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN115087767B ,2024-02-20

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