用于直流链路电容器的双栅极MOSFET器件及预充电技术

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310719260.3
申请日
2023-06-16
公开(公告)号
CN117334696A
公开(公告)日
2024-01-02
发明(设计)人
D·阿勒斯 J·格伦瓦尔 B·施密特 M·威尔克
申请人
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址
德国诺伊比贝尔格
IPC主分类号
H01L27/088
IPC分类号
H01L27/092 H01L23/48 H01L21/8234 H01L21/8238 H03K17/687
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
闫红玉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器 [P]. 
崔璟根 .
中国专利 :CN1065658C ,1997-09-03
[2]
直流链路电容器组件及用于它的冷却装置 [P]. 
陈丽群 ;
朱健 .
德国专利 :CN222088414U ,2024-11-29
[3]
具有寿命延长的直流链路电容器的逆变器 [P]. 
C.科乔卡鲁 ;
R.K.奥尔 .
中国专利 :CN103518318B ,2014-01-15
[4]
具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法 [P]. 
高荣正 .
中国专利 :CN1485899A ,2004-03-31
[5]
用于电动车辆DC链路电容器的自适应预充电控制 [P]. 
迈克尔·J·甘布扎 ;
塞萨尔·马丁内斯 ;
马丁·舒尔茨 .
美国专利 :CN117937649A ,2024-04-26
[6]
DC链路充电设备和用于对DC链路电容器充电的方法 [P]. 
斯蒂芬·斯特林贝格 ;
尼克拉斯·索多 .
中国专利 :CN112217383A ,2021-01-12
[7]
DC链路充电设备和用于对DC链路电容器充电的方法 [P]. 
斯蒂芬·斯特林贝格 ;
尼克拉斯·索多 .
:CN112217383B ,2024-11-15
[8]
具有金属栅极的半导体器件上的制造电容器方法及电容器 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN102956437A ,2013-03-06
[9]
用于为中间电路电容器充电的预充电电路 [P]. 
T·舍德利希 .
中国专利 :CN104853945A ,2015-08-19
[10]
电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法 [P]. 
李正贤 ;
朴星昊 ;
徐范锡 .
中国专利 :CN1738062A ,2006-02-22