单光子雪崩二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410362118.2
申请日
2024-03-28
公开(公告)号
CN117976757A
公开(公告)日
2024-05-03
发明(设计)人
兰潇健 马四光 刘超晖 马静
申请人
季华实验室
申请人地址
528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
IPC主分类号
H01L31/107
IPC分类号
H01L31/0352
代理机构
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287
代理人
张莹亚
法律状态
公开
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
单光子雪崩二极管 [P]. 
兰潇健 ;
马四光 ;
刘超晖 ;
马静 .
中国专利 :CN117976757B ,2024-07-16
[2]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN111033759B ,2025-06-27
[3]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17
[4]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11
[5]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07
[6]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN114284383A ,2022-04-05
[7]
单光子雪崩二极管 [P]. 
郭明清 .
中国专利 :CN118315467A ,2024-07-09
[8]
单光子雪崩二极管 [P]. 
朴淳烈 .
韩国专利 :CN119029078A ,2024-11-26
[9]
单光子雪崩二极管 [P]. 
朴淳烈 .
韩国专利 :CN114914324B ,2024-09-06
[10]
单光子雪崩二极管 [P]. 
朴淳烈 .
中国专利 :CN114914324A ,2022-08-16