纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311296358.9

申请日：

2017-07-21

公开(公告)号：

CN117423678A

公开(公告)日：

2024-01-19

发明(设计)人：

S·V·恩古源山下典洪程慷果 T·J·小黑格朴灿鲁 E·利宁格李俊涛 S·梅赫塔

申请人：

泰塞拉公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L21/768 H01L29/417 H01L21/02 H01L29/78 H01L21/336 H01L23/528 H01L29/49 H01L27/12 H01L21/84 H01L23/522

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

宋晓娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-19	公开	公开
2024-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/532申请日:20170721

共 50 条

[1]

纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P].

S·V·恩古源 ;

山下典洪 ;

程慷果 ;

T·J·小黑格 ;

朴灿鲁 ;

E·利宁格 ;

李俊涛 ;

S·梅赫塔 .

美国专利 :CN117457623A ,2024-01-26

[2]

纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P].

S·V·恩古源 ;

山下典洪 ;

程慷果 ;

T·J·小黑格 ;

朴灿鲁 ;

E·利宁格 ;

李俊涛 ;

S·梅赫塔 .

美国专利 :CN117410270A ,2024-01-16

[3]

纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P].

S·V·恩古源 ;

山下典洪 ;

程慷果 ;

T·J·小黑格 ;

朴灿鲁 ;

E·利宁格 ;

李俊涛 ;

S·梅赫塔 .

美国专利 :CN117558708A ,2024-02-13

[4]

纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P].

S·V·恩古源 ;

山下典洪 ;

程慷果 ;

T·J·小黑格 ;

朴灿鲁 ;

E·利宁格 ;

李俊涛 ;

S·梅赫塔 .

中国专利 :CN109478534A ,2019-03-15

[5]

具有气隙间隔物的半导体器件及制造其的方法 [P].

李东烈 ;

慎重赞 ;

李东俊 ;

李镐旭 ;

崔智旻 ;

金志永 ;

尹灿植 ;

赵昶贤 .

中国专利 :CN108155189B ,2018-06-12

[6]

半导体气隙间隔物及其制造方法 [P].

韦拉拉哈万·S·巴斯克 ;

杨世海 ;

阿希什·派欧 ;

埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ;

本杰明·科伦坡 ;

B·普拉纳瑟提哈兰 .

美国专利 :CN121153350A ,2025-12-16

[7]

包括空气间隔物的半导体器件 [P].

金璟恩 ;

金容宽 ;

张世明 ;

黄有商 ;

金奉秀 .

中国专利 :CN106816430B ,2017-06-09

[8]

包括栅间隔物的半导体器件 [P].

徐凤锡 ;

金大元 ;

朴范琎 ;

朴硕炯 ;

朴星一 ;

申在训 ;

杨奉燮 ;

刘庭均 ;

李在润 .

中国专利 :CN113497035A ,2021-10-12

[9]

包括间隔物的半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金孝燮 ;

金熙中 ;

李明东 ;

全辰桓 .

中国专利 :CN111326517A ,2020-06-23

[10]

包括间隔物的半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金孝燮 ;

金熙中 ;

李明东 ;

全辰桓 .

韩国专利 :CN111326517B ,2024-05-24

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