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半导体气隙间隔物及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202480027247.4
申请日：
2024-09-25
公开(公告)号：
CN121153350A
公开(公告)日：
2025-12-16
发明(设计)人：
韦拉拉哈万·S·巴斯克 杨世海 阿希什·派欧 埃尔·迈赫迪·巴齐兹 本杰明·科伦坡 B·普拉纳瑟提哈兰
申请人：
应用材料公司
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H10D64/27
IPC分类号：
H10D84/01 H10D84/83 H10D30/67 H10D64/66 H10D30/01
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国;吴启超
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-16 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
高桥健介 ;
间部谦三 ;
五十岚信行 ;
辰巳彻 .
中国专利 :CN100452357C ,2006-12-13
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
陈芳 ;
廖忠志 ;
梁铭彰 .
中国专利 :CN107026201B ,2017-08-08
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
陈建豪 ;
连浩明 ;
李思毅 ;
李启弘 ;
陈建良 ;
费中豪 ;
杨文志 ;
黄仁安 ;
张启新 ;
林俊铭 ;
庄学理 ;
叶俊林 ;
林纲正 ;
黄国泰 .
中国专利 :CN101661958B ,2010-03-03
[4]
半导体装置的制造方法 [P]. 
侯承浩 ;
许家玮 ;
于雄飞 .
中国专利 :CN106972049A ,2017-07-21
[5]
高压半导体组件及其制造方法 [P]. 
张馨文 ;
张耀文 .
中国专利 :CN1983633A ,2007-06-20
[6]
纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P]. 
S·V·恩古源 ;
山下典洪 ;
程慷果 ;
T·J·小黑格 ;
朴灿鲁 ;
E·利宁格 ;
李俊涛 ;
S·梅赫塔 .
美国专利 :CN117457623A ,2024-01-26
[7]
纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P]. 
S·V·恩古源 ;
山下典洪 ;
程慷果 ;
T·J·小黑格 ;
朴灿鲁 ;
E·利宁格 ;
李俊涛 ;
S·梅赫塔 .
美国专利 :CN117410270A ,2024-01-16
[8]
纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P]. 
S·V·恩古源 ;
山下典洪 ;
程慷果 ;
T·J·小黑格 ;
朴灿鲁 ;
E·利宁格 ;
李俊涛 ;
S·梅赫塔 .
美国专利 :CN117558708A ,2024-02-13
[9]
纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P]. 
S·V·恩古源 ;
山下典洪 ;
程慷果 ;
T·J·小黑格 ;
朴灿鲁 ;
E·利宁格 ;
李俊涛 ;
S·梅赫塔 .
美国专利 :CN117423678A ,2024-01-19
[10]
纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P]. 
S·V·恩古源 ;
山下典洪 ;
程慷果 ;
T·J·小黑格 ;
朴灿鲁 ;
E·利宁格 ;
李俊涛 ;
S·梅赫塔 .
中国专利 :CN109478534A ,2019-03-15
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