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半导体结构的制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410026735.5
申请日：
2024-01-08
公开(公告)号：
CN117545275A
公开(公告)日：
2024-02-09
发明(设计)人：
宛伟
申请人：
长鑫新桥存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
H01L21/768
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
高天华;胡春光
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-09 | 公开 | 公开 |
| 2024-05-14 | 授权 | 授权 |
| 2024-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240108 |