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一种氮化硅镁粉体及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310657373.5
申请日
:
2023-06-05
公开(公告)号
:
CN116621127B
公开(公告)日
:
2024-04-12
发明(设计)人
:
朱福林
肖亮
汤娜
刘明
李能
申请人
:
衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请人地址
:
421008 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区工业大道46号
IPC主分类号
:
C01B21/082
IPC分类号
:
B82Y40/00
C04B35/58
C04B35/626
代理机构
:
北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙) 11791
代理人
:
李镇
法律状态
:
授权
国省代码
:
湖南省 衡阳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-12
授权
授权
共 50 条
[1]
一种氮化硅镁粉体的制备方法
[P].
成会明
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成会明
;
杜松墨
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杜松墨
;
崔巍
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崔巍
;
邹艺峰
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邹艺峰
.
中国专利
:CN109775674A
,2019-05-21
[2]
一种氮化硅镁粉体及其制备方法
[P].
丁军
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丁军
;
柴志南
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柴志南
;
邓承继
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邓承继
;
余超
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余超
;
祝洪喜
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祝洪喜
.
中国专利
:CN106904583A
,2017-06-30
[3]
一种基于熔盐法的氮化硅镁粉体及其制备方法
[P].
丁军
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丁军
;
曹桂莲
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曹桂莲
;
王杏
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王杏
;
邓承继
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邓承继
;
余超
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余超
;
祝洪喜
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祝洪喜
.
中国专利
:CN110240132B
,2022-12-02
[4]
一种氮化硅粉体的制备方法
[P].
潘佳伟
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浙江英德赛半导体材料股份有限公司
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
潘佳伟
;
胡尊兰
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浙江英德赛半导体材料股份有限公司
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
胡尊兰
;
周平
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浙江英德赛半导体材料股份有限公司
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
周平
;
王龙
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浙江英德赛半导体材料股份有限公司
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
王龙
;
杨阳
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浙江英德赛半导体材料股份有限公司
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
杨阳
;
赵晓兰
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机构:
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
赵晓兰
.
中国专利
:CN120157089A
,2025-06-17
[5]
一种自蔓延合成氮化硅镁粉体的制备方法
[P].
朱伟峰
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西安澳秦新材料有限公司
西安澳秦新材料有限公司
朱伟峰
;
赵向楠
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西安澳秦新材料有限公司
西安澳秦新材料有限公司
赵向楠
;
容亚红
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西安澳秦新材料有限公司
西安澳秦新材料有限公司
容亚红
;
李旭
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西安澳秦新材料有限公司
西安澳秦新材料有限公司
李旭
;
管晶
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西安澳秦新材料有限公司
西安澳秦新材料有限公司
管晶
.
中国专利
:CN118343692A
,2024-07-16
[6]
氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷
[P].
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机构:
韩召
;
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机构:
刘鹏飞
;
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机构:
郗威
;
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机构:
吴六顺
.
中国专利
:CN118420356A
,2024-08-02
[7]
自蔓延高温合成氮化硅镁粉体的制备方法
[P].
彭桂花
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彭桂花
;
江国建
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江国建
;
李文兰
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李文兰
;
张宝林
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张宝林
;
庄汉锐
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庄汉锐
.
中国专利
:CN1557709A
,2004-12-29
[8]
氮化硅镁粉体及其制备方法、陶瓷材料及导热基板
[P].
曾小锋
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曾小锋
;
朱福林
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朱福林
;
肖亮
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肖亮
;
曾庆党
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曾庆党
;
李勇全
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李勇全
.
中国专利
:CN112239363B
,2021-01-19
[9]
一种氮化硅粉体前驱体、氮化硅粉体及其制备方法
[P].
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机构:
高朋召
;
论文数:
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机构:
肖汉宁
;
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机构:
覃航
;
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机构:
郭文明
.
中国专利
:CN119039007A
,2024-11-29
[10]
一种微米级球形氮化硅及其制备方法
[P].
王伟
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王伟
;
蒋学鑫
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蒋学鑫
;
王韶晖
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王韶晖
;
郭敬新
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郭敬新
.
中国专利
:CN111252745A
,2020-06-09
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