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加热盘及薄膜沉积设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202322112601.9
申请日
:
2023-08-07
公开(公告)号
:
CN220788780U
公开(公告)日
:
2024-04-16
发明(设计)人
:
尹晶
吴凤丽
关帅
申思
申请人
:
拓荆科技(上海)有限公司
申请人地址
:
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室
IPC主分类号
:
C23C16/46
IPC分类号
:
C23C16/52
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
徐迪
法律状态
:
著录事项变更
国省代码
:
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-24
著录事项变更
著录事项变更IPC(主分类):C23C 16/46变更事项:发明人变更前:尹晶 吴凤丽 关帅 申思变更后:尹晶 吴凤丽 关帅
2024-04-16
授权
授权
共 50 条
[1]
加热盘及薄膜沉积设备
[P].
毕孝楠
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
毕孝楠
;
张亚新
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张亚新
;
阚金卓
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
阚金卓
.
中国专利
:CN223414042U
,2025-10-03
[2]
加热盘、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
[P].
刘振
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
刘振
;
吴凤丽
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
吴凤丽
.
中国专利
:CN116970930B
,2025-09-05
[3]
加热盘及薄膜沉积设备
[P].
毕孝楠
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
毕孝楠
;
张亚新
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张亚新
;
阚金卓
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
阚金卓
.
中国专利
:CN119252771A
,2025-01-03
[4]
一种加热盘及薄膜沉积设备
[P].
阚金卓
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
阚金卓
;
陈新益
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
陈新益
;
张亚新
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张亚新
;
毕孝楠
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
毕孝楠
.
中国专利
:CN221956193U
,2024-11-05
[5]
加热盘、薄膜沉积设备及薄膜沉积设备组装方法
[P].
刘振
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
刘振
;
吴凤丽
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
吴凤丽
.
中国专利
:CN118360594A
,2024-07-19
[6]
加热盘驱动装置及薄膜沉积设备
[P].
陈兴攀
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
陈兴攀
;
关帅
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
关帅
;
吴凤丽
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
吴凤丽
.
中国专利
:CN120400807A
,2025-08-01
[7]
加热盘的控制装置、方法及薄膜沉积设备
[P].
李丹
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0
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
李丹
.
中国专利
:CN120536905A
,2025-08-26
[8]
加热盘及其制备方法及薄膜沉积设备
[P].
阚金卓
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
阚金卓
.
中国专利
:CN119710647A
,2025-03-28
[9]
散热装置、加热盘及薄膜沉积设备
[P].
杜志杰
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
杜志杰
;
郭东
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
郭东
.
中国专利
:CN119725167A
,2025-03-28
[10]
一种加热盘及薄膜沉积设备
[P].
齐海军
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
齐海军
.
中国专利
:CN119710648A
,2025-03-28
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