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加热盘、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311002777.7
申请日
:
2023-08-09
公开(公告)号
:
CN116970930B
公开(公告)日
:
2025-09-05
发明(设计)人
:
刘振
吴凤丽
申请人
:
拓荆科技(上海)有限公司
申请人地址
:
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室
IPC主分类号
:
C23C16/46
IPC分类号
:
H01L21/67
H01L21/02
C23C16/44
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
徐迪
法律状态
:
授权
国省代码
:
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-05
授权
授权
共 50 条
[1]
加热盘、薄膜沉积设备及薄膜沉积设备组装方法
[P].
刘振
论文数:
0
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0
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
刘振
;
吴凤丽
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
吴凤丽
.
中国专利
:CN118360594A
,2024-07-19
[2]
加热盘及薄膜沉积设备
[P].
毕孝楠
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
毕孝楠
;
张亚新
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张亚新
;
阚金卓
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
阚金卓
.
中国专利
:CN119252771A
,2025-01-03
[3]
加热盘及薄膜沉积设备
[P].
尹晶
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拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
尹晶
;
吴凤丽
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
吴凤丽
;
关帅
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拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
关帅
;
申思
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
申思
.
中国专利
:CN220788780U
,2024-04-16
[4]
加热盘及薄膜沉积设备
[P].
毕孝楠
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
毕孝楠
;
张亚新
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张亚新
;
阚金卓
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
阚金卓
.
中国专利
:CN223414042U
,2025-10-03
[5]
薄膜沉积装置、薄膜沉积方法及薄膜沉积设备
[P].
朱志君
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机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
朱志君
;
王晖
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盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
王晖
;
金京俊
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机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
金京俊
.
中国专利
:CN120193262A
,2025-06-24
[6]
薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
[P].
林俊成
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林俊成
.
中国专利
:CN112442683A
,2021-03-05
[7]
薄膜沉积方法及薄膜沉积设备
[P].
骆金龙
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骆金龙
.
中国专利
:CN113718219A
,2021-11-30
[8]
薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
[P].
许波
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许波
;
曹立新
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曹立新
;
范慧
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范慧
;
朱北沂
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朱北沂
.
中国专利
:CN103103480A
,2013-05-15
[9]
加热盘驱动装置及薄膜沉积设备
[P].
陈兴攀
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
陈兴攀
;
关帅
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
关帅
;
吴凤丽
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
吴凤丽
.
中国专利
:CN120400807A
,2025-08-01
[10]
加热盘及其制备方法及薄膜沉积设备
[P].
阚金卓
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
阚金卓
.
中国专利
:CN119710647A
,2025-03-28
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