半导体制作工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210857932.2

申请日：

2022-07-20

公开(公告)号：

CN117476748A

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

谢勇高强黄世贤谈文毅

申请人：

联芯集成电路制造(厦门)有限公司

申请人地址：

361101 福建省厦门市翔安区万家春路899号

IPC主分类号：

H01L29/40

IPC分类号：

H01L29/417

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王锐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

福建省厦门市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/40申请日:20220720
2024-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体制作工艺方法 [P].

钟泽伟 ;

周宗辉 ;

赖郁元 .

中国专利 :CN105655296A ,2016-06-08

[2]

半导体制作工艺方法 [P].

陈朝刚 ;

谈文毅 ;

苏世芳 .

中国专利 :CN118280838A ,2024-07-02

[3]

半导体制作工艺 [P].

童宇诚 ;

廖晋毅 .

中国专利 :CN104377135A ,2015-02-25

[4]

半导体制作工艺 [P].

方俊杰 ;

陈柏荣 ;

郭聪敏 .

中国专利 :CN101969041A ,2011-02-09

[5]

半导体制作工艺 [P].

张仲甫 ;

黄信川 ;

洪裕祥 ;

刘家荣 ;

周珮玉 ;

郑志祥 ;

周玲君 ;

王益昌 ;

洪庆文 ;

郭敏郎 ;

吴俊元 .

中国专利 :CN103077894A ,2013-05-01

[6]

半导体制作工艺 [P].

韩广涛 ;

陆阳 ;

任远程 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN106356304A ,2017-01-25

[7]

半导体制作工艺 [P].

魏国智 ;

陈翁宜 ;

李世伟 .

中国专利 :CN108946656A ,2018-12-07

[8]

半导体制作工艺 [P].

梁丝萍 .

中国专利 :CN113889397A ,2022-01-04

[9]

半导体制作工艺 [P].

韩广涛 ;

陆阳 ;

任远程 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN106653607A ,2017-05-10

[10]

半导体制作工艺 [P].

车行远 ;

姜宏奇 ;

姜文萍 ;

方彦程 .

中国专利 :CN111243956A ,2020-06-05

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