用于选择性膜生长的原子层沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880042184.4

申请日：

2018-06-22

公开(公告)号：

CN111032908B

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

让-塞巴斯蒂安·莱恩查尔斯·德泽拉雅各布·伍德拉夫

申请人：

默克专利有限公司

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C23C16/04

IPC分类号：

C23C16/14 C23C16/455

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李新红;张启程

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

用于选择性膜生长的原子层沉积方法 [P].

让-塞巴斯蒂安·莱恩 ;

查尔斯·德泽拉 ;

雅各布·伍德拉夫 .

中国专利 :CN111032908A ,2020-04-17

[2]

选择性原子层沉积成膜方法 [P].

姜谦 .

中国专利 :CN102337523A ,2012-02-01

[3]

选择性原子层沉积方法 [P].

陈蓉 ;

陆朱晖 ;

曹坤 ;

单斌 ;

孙博文 .

中国专利 :CN119162565A ,2024-12-20

[4]

钌的选择性原子层沉积 [P].

陈一宏 ;

巫勇 ;

S·冈迪科塔 ;

A·B·玛里克 .

中国专利 :CN111492467A ,2020-08-04

[5]

金属膜的高选择性沉积方法 [P].

R·坎乔利亚 ;

M·蒙普尔 ;

J·伍德拉夫 ;

S·沃尔夫 ;

M·布里登 ;

S·T·乌达 ;

A·库梅尔 ;

A·阿努拉格 .

中国专利 :CN113166930A ,2021-07-23

[6]

金属膜的高选择性沉积方法 [P].

R·坎乔利亚 ;

M·蒙普尔 ;

J·伍德拉夫 ;

S·沃尔夫 ;

M·布里登 ;

S·T·乌达 ;

A·库梅尔 ;

A·阿努拉格 .

德国专利 :CN113166930B ,2024-07-12

[7]

区域选择性原子层沉积方法及工具 [P].

阿尔费雷多·马梅利 ;

艾哈迈徳·法兹 ;

弗雷迪·罗泽博姆 ;

保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 .

:CN114729445B ,2024-11-19

[8]

区域选择性原子层沉积方法及工具 [P].

阿尔费雷多·马梅利 ;

艾哈迈徳·法兹 ;

弗雷迪·罗泽博姆 ;

保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 .

中国专利 :CN114729445A ,2022-07-08

[9]

用喷头装置实现选择性原子层沉积成膜的方法 [P].

姜谦 .

中国专利 :CN102517566A ,2012-06-27

[10]

选择性膜沉积 [P].

P·马 .

:CN120356823A ,2025-07-22

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