氮化膜的成膜方法及氮化膜的成膜装置

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专利类型
发明
申请号
CN201911393207.9
申请日
2019-12-30
公开(公告)号
CN111424258B
公开(公告)日
2024-01-23
发明(设计)人
村上博纪
申请人
东京毅力科创株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C23C16/34
IPC分类号
C23C16/455 C23C16/50
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化膜的成膜方法及氮化膜的成膜装置 [P]. 
村上博纪 .
中国专利 :CN111424258A ,2020-07-17
[2]
氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置 [P]. 
高桥毅 ;
洪锡亨 ;
樋口健介 .
中国专利 :CN115323351A ,2022-11-11
[3]
氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置 [P]. 
高桥毅 ;
洪锡亨 ;
樋口健介 .
日本专利 :CN115323351B ,2024-09-17
[4]
氮化膜成膜方法 [P]. 
西村真一 ;
渡边谦资 ;
山田义人 ;
寺本章伸 ;
诹访智之 ;
志波良信 .
中国专利 :CN110352474A ,2019-10-18
[5]
氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
加藤寿 ;
高桥豊 ;
久保万身 .
中国专利 :CN109385626A ,2019-02-26
[6]
氮化硼膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
后藤一希 ;
加藤良裕 ;
酒井宗一朗 .
日本专利 :CN120119225A ,2025-06-10
[7]
成膜装置及氮化镓膜的成膜方法 [P]. 
池田雅延 .
日本专利 :CN119213161A ,2024-12-27
[8]
氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜 [P]. 
安藤优汰 ;
猪狩晃 ;
森本直树 .
日本专利 :CN116802336B ,2025-11-21
[9]
氮化硼膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
酒井宗一朗 ;
后藤一希 ;
加藤良裕 .
日本专利 :CN120464983A ,2025-08-12
[10]
氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P]. 
渡边幸夫 ;
高藤哲也 ;
内田博章 ;
佐藤吉宏 .
日本专利 :CN119685801A ,2025-03-25