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用于三维DRAM的选择性硅化物沉积

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280053586.0
申请日：
2022-08-03
公开(公告)号：
CN117769895A
公开(公告)日：
2024-03-26
发明(设计)人：
尼古拉斯·布雷尔 姜昌锡
申请人：
应用材料公司
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国;吴启超
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20220803
2024-03-26 公开 公开
共 50 条
[1]
金属硅化物的选择性沉积 [P]. 
雷蒙德·洪 ;
金南成 ;
斯里尼瓦斯·内曼尼 ;
怡利·叶 ;
郑崔 ;
克里斯托弗·艾尔斯 ;
安德鲁·库梅尔 .
中国专利 :CN110945626A ,2020-03-31
[2]
金属硅化物的选择性沉积和选择性氧化物移除 [P]. 
雷蒙德·洪 ;
金南成 ;
斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;
怡利·Y·叶 ;
郑崔 ;
克里斯托弗·艾尔斯 ;
安德鲁·库梅尔 .
中国专利 :CN113348532A ,2021-09-03
[3]
经由原子层沉积(ALD)循环选择性沉积金属硅化物的方法 [P]. 
赛沙德利·甘古利 ;
杨义雄 ;
布尚·N·左普 ;
付新宇 ;
阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;
简国强 ;
博·郑 .
中国专利 :CN107533962B ,2018-01-02
[4]
用于CMOS器件的空腔成形和选择性金属硅化物形成 [P]. 
尼古拉斯·路易斯·布雷尔 ;
阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 .
美国专利 :CN120304033A ,2025-07-11
[5]
钼的选择性沉积的方法 [P]. 
兰德·哈达丁 ;
库纳尔·巴哈特纳瓜 ;
莫希斯·维尔格瑟 ;
若泽·亚历山德罗·罗梅罗 ;
阿尼鲁德·谢克瓦特 .
美国专利 :CN119585463A ,2025-03-07
[6]
选择性硅沉积 [P]. 
Y·周 ;
符谦 .
美国专利 :CN118103950A ,2024-05-28
[7]
选择性MOSI沉积 [P]. 
托马斯·安东尼·恩庞特 ;
阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 .
美国专利 :CN119855941A ,2025-04-18
[8]
具有金属和硅化物控制栅极的三维存储器装置 [P]. 
S.卡纳卡梅达拉 ;
R.S.马卡拉 ;
Y.张 ;
李耀升 ;
G.马塔米斯 .
中国专利 :CN108124495B ,2018-06-05
[9]
氧化硅的选择性沉积 [P]. 
卡普·瑟里什·雷迪 ;
梅里哈·歌德·兰维尔 ;
纳格拉杰·尚卡尔 ;
丹尼斯·M·豪斯曼 ;
大卫·查尔斯·史密斯 ;
卡西克·希瓦拉马克里斯南 ;
大卫·W·波特 .
美国专利 :CN108735675B ,2024-03-15
[10]
氧化硅的选择性沉积 [P]. 
卡普·瑟里什·雷迪 ;
梅里哈·歌德·兰维尔 ;
纳格拉杰·尚卡尔 ;
丹尼斯·M·豪斯曼 ;
大卫·查尔斯·史密斯 ;
卡西克·希瓦拉马克里斯南 ;
大卫·W·波特 .
中国专利 :CN108735675A ,2018-11-02
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