金属硅化物的选择性沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880034866.0

申请日：

2018-05-24

公开(公告)号：

CN110945626A

公开(公告)日：

2020-03-31

发明(设计)人：

雷蒙德·洪金南成斯里尼瓦斯·内曼尼怡利·叶郑崔克里斯托弗·艾尔斯安德鲁·库梅尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	公开	公开
2020-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180524

共 50 条

[1]

金属硅化物的选择性沉积和选择性氧化物移除 [P].

雷蒙德·洪 ;

金南成 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·Y·叶 ;

郑崔 ;

克里斯托弗·艾尔斯 ;

安德鲁·库梅尔 .

中国专利 :CN113348532A ,2021-09-03

[2]

经由原子层沉积(ALD)循环选择性沉积金属硅化物的方法 [P].

赛沙德利·甘古利 ;

杨义雄 ;

布尚·N·左普 ;

付新宇 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;

简国强 ;

博·郑 .

中国专利 :CN107533962B ,2018-01-02

[3]

通过选择性沉积的硅化物膜 [P].

S·斯里尼瓦桑 ;

A·玛里克 ;

N·布赖尔 .

美国专利 :CN117832071A ,2024-04-05

[4]

通过选择性沉积的硅化物膜 [P].

S·斯里尼瓦桑 ;

A·玛里克 ;

N·布赖尔 .

中国专利 :CN111602228A ,2020-08-28

[5]

用于CMOS器件的空腔成形和选择性金属硅化物形成 [P].

尼古拉斯·路易斯·布雷尔 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 .

美国专利 :CN120304033A ,2025-07-11

[6]

用于三维DRAM的选择性硅化物沉积 [P].

尼古拉斯·布雷尔 ;

姜昌锡 .

美国专利 :CN117769895A ,2024-03-26

[7]

金属硼化物和金属硅化物的沉积 [P].

P·雷伊塞宁 ;

E·谢罗 ;

S·霍卡 ;

R·B·米莉甘 ;

M·E·吉文斯 .

中国专利 :CN107305838A ,2017-10-31

[8]

金属硼化物和金属硅化物的沉积 [P].

P·雷伊塞宁 ;

E·谢罗 ;

S·霍卡 ;

R·B·米莉甘 ;

M·E·吉文斯 .

:CN118675982A ,2024-09-20

[9]

金属硅化物的清洗方法 [P].

杨兆宇 ;

孟昭生 ;

李健 .

中国专利 :CN102290325A ,2011-12-21

[10]

金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法 [P].

宁先捷 ;

保罗 .

中国专利 :CN100505184C ,2007-02-28

← 1 2 3 4 5 →