一种纳米线宽金属图形的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410133740.6

申请日：

2024-01-31

公开(公告)号：

CN117976522A

公开(公告)日：

2024-05-03

发明(设计)人：

彭炜吴止竞刘晓宇

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/3205

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/027申请日:20240131
2024-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅纳米线的制作方法 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106783618A ,2017-05-31

[2]

一种纳米线的制作方法 [P].

李俊杰 ;

吴振华 ;

张丹 ;

罗军 ;

王文武 .

中国专利 :CN108807170B ,2018-11-13

[3]

一种硅锗纳米线的制作方法 [P].

王勇 ;

王瑛 ;

丁超 .

中国专利 :CN106229256A ,2016-12-14

[4]

一种硅锗纳米线的制作方法 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106653566A ,2017-05-10

[5]

一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片 [P].

李俊杰 ;

刘耀东 ;

周娜 ;

王桂磊 ;

高建峰 ;

李永亮 ;

罗军 ;

赵超 ;

王文武 .

中国专利 :CN110620033A ,2019-12-27

[6]

金属硅化物纳米线及其制作方法 [P].

顾长志 ;

岳双林 ;

罗强 ;

金爱子 .

中国专利 :CN1979828A ,2007-06-13

[7]

纳米线器件的制作方法 [P].

李永亮 ;

马雪丽 ;

李俊杰 ;

王晓磊 ;

杨红 ;

王文武 ;

李超雷 .

中国专利 :CN109830525B ,2019-05-31

[8]

纳米线结构的制作方法 [P].

李俊杰 ;

崔虎山 ;

朱慧珑 ;

赵超 .

中国专利 :CN107342312A ,2017-11-10

[9]

纳米线元件的制作方法 [P].

许嘉麟 .

中国专利 :CN102372256A ,2012-03-14

[10]

一种硅纳米线的制作方法 [P].

田伟 ;

陶继方 ;

温良恭 .

中国专利 :CN121158724A ,2025-12-19

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