一种硅锗纳米线的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201611072423.X
申请日
2016-11-29
公开(公告)号
CN106653566A
公开(公告)日
2017-05-10
发明(设计)人
刘丽蓉 王勇 丁超
申请人
申请人地址
523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6楼607室
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
广东莞信律师事务所 44332
代理人
曾秋梅
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种硅锗纳米线的制作方法 [P]. 
王勇 ;
王瑛 ;
丁超 .
中国专利 :CN106229256A ,2016-12-14
[2]
一种硅纳米线的制作方法 [P]. 
刘丽蓉 ;
王勇 ;
丁超 .
中国专利 :CN106783618A ,2017-05-31
[3]
一种硅纳米线的制作方法 [P]. 
王慧泉 ;
金仲和 ;
郑阳明 ;
王跃林 ;
李铁 .
中国专利 :CN1958436A ,2007-05-09
[4]
一种锗纳米线结构的制作方法 [P]. 
王盛凯 ;
刘洪刚 ;
孙兵 ;
常虎东 ;
赵威 .
中国专利 :CN103693615A ,2014-04-02
[5]
一种硅纳米线的制作方法 [P]. 
王跃林 ;
李欣昕 ;
刘文平 .
中国专利 :CN1215530C ,2004-02-11
[6]
硅和硅锗纳米线的形成 [P]. 
江国诚 ;
卡洛斯·H·迪亚兹 ;
让-皮埃尔·科林格 .
中国专利 :CN104425495A ,2015-03-18
[7]
一种锗纳米线叠层结构的制作方法 [P]. 
王盛凯 ;
刘洪刚 ;
孙兵 ;
常虎东 ;
赵威 .
中国专利 :CN103700582A ,2014-04-02
[8]
一种硅纳米线的制作方法 [P]. 
田伟 ;
陶继方 ;
温良恭 .
中国专利 :CN121158724A ,2025-12-19
[9]
纳米线结构的制作方法 [P]. 
李俊杰 ;
崔虎山 ;
朱慧珑 ;
赵超 .
中国专利 :CN107342312A ,2017-11-10
[10]
硅纳米线器件的制作方法 [P]. 
景旭斌 ;
杨斌 ;
郭明升 .
中国专利 :CN102354669B ,2012-02-15