一种锗纳米线结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310741573.5

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN103693615A

公开(公告)日：

2014-04-02

发明(设计)人：

王盛凯刘洪刚孙兵常虎东赵威

申请人：

申请人地址：

100083 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	授权	授权
2014-04-02	公开	公开
2014-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581902398 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2013107415735 申请日:20131227

共 50 条

[1]

一种硅锗纳米线的制作方法 [P].

王勇 ;

王瑛 ;

丁超 .

中国专利 :CN106229256A ,2016-12-14

[2]

一种硅锗纳米线的制作方法 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106653566A ,2017-05-10

[3]

一种锗纳米线叠层结构的制作方法 [P].

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

孙兵 ;

常虎东 ;

赵威 .

中国专利 :CN103700582A ,2014-04-02

[4]

一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法 [P].

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

孙兵 ;

常虎东 ;

赵威 .

中国专利 :CN103700578A ,2014-04-02

[5]

纳米线结构的制作方法 [P].

李俊杰 ;

崔虎山 ;

朱慧珑 ;

赵超 .

中国专利 :CN107342312A ,2017-11-10

[6]

一种纳米线的制作方法 [P].

李俊杰 ;

吴振华 ;

张丹 ;

罗军 ;

王文武 .

中国专利 :CN108807170B ,2018-11-13

[7]

一种合成碳包覆锗纳米线的方法 [P].

陶新永 ;

张孝彬 ;

程继鹏 ;

罗志强 ;

刘芙 .

中国专利 :CN1328417C ,2006-09-13

[8]

纳米线器件的制作方法 [P].

李永亮 ;

马雪丽 ;

李俊杰 ;

王晓磊 ;

杨红 ;

王文武 ;

李超雷 .

中国专利 :CN109830525B ,2019-05-31

[9]

纳米线栅结构的制作方法 [P].

李明辉 .

中国专利 :CN107170675A ,2017-09-15

[10]

纳米线结构及其制作方法 [P].

施学浩 .

中国专利 :CN106033769A ,2016-10-19

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