纳米线栅结构的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201710369879.0
申请日
2017-05-23
公开(公告)号
CN107170675A
公开(公告)日
2017-09-15
发明(设计)人
李明辉
申请人
申请人地址
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
IPC主分类号
H01L21302
IPC分类号
H01L21306
代理机构
深圳市德力知识产权代理事务所 44265
代理人
林才桂
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
纳米线栅偏光片的制作方法 [P]. 
侯俊 ;
陈黎暄 ;
陈孝贤 .
中国专利 :CN107167863B ,2017-09-15
[2]
纳米线栅偏光片的制作方法 [P]. 
侯俊 .
中国专利 :CN107203017A ,2017-09-26
[3]
纳米线结构的制作方法 [P]. 
李俊杰 ;
崔虎山 ;
朱慧珑 ;
赵超 .
中国专利 :CN107342312A ,2017-11-10
[4]
纳米线元件的制作方法 [P]. 
许嘉麟 .
中国专利 :CN102372256A ,2012-03-14
[5]
纳米线结构及其制作方法 [P]. 
施学浩 .
中国专利 :CN106033769A ,2016-10-19
[6]
堆叠纳米线环栅器件及其制作方法 [P]. 
周娜 ;
李俊杰 ;
高建峰 ;
杨涛 ;
李俊峰 ;
王文武 .
中国专利 :CN112151386B ,2020-12-29
[7]
纳米线器件的制作方法 [P]. 
李永亮 ;
马雪丽 ;
李俊杰 ;
王晓磊 ;
杨红 ;
王文武 ;
李超雷 .
中国专利 :CN109830525B ,2019-05-31
[8]
一种柔性纳米线栅型透明导电电极的制作方法 [P]. 
刘艳花 ;
陈林森 ;
浦东林 ;
王艳艳 ;
朱鹏飞 ;
周小红 ;
方宗豹 .
中国专利 :CN105405752B ,2016-03-16
[9]
硅纳米线器件的制作方法 [P]. 
景旭斌 ;
杨斌 ;
郭明升 .
中国专利 :CN102354669B ,2012-02-15
[10]
一种锗纳米线结构的制作方法 [P]. 
王盛凯 ;
刘洪刚 ;
孙兵 ;
常虎东 ;
赵威 .
中国专利 :CN103693615A ,2014-04-02