半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911252200.5

申请日：

2019-12-09

公开(公告)号：

CN111384240B

公开(公告)日：

2024-02-13

发明(设计)人：

金承默

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10N97/00

IPC分类号：

H10B12/00

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;周晓雨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承默 .

中国专利 :CN111384240A ,2020-07-07

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

金范庸 ;

李勋 ;

吉德信 .

中国专利 :CN108630686B ,2018-10-09

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金龙水 ;

周文植 ;

赵兴在 ;

崔源峻 .

中国专利 :CN101621010A ,2010-01-06

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

村田龙纪 ;

辻内干夫 .

中国专利 :CN101593764B ,2009-12-02

[5]

半导体器件的制造方法及其半导体器件 [P].

何丹丹 .

中国专利 :CN113130636B ,2021-07-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN109904120B ,2019-06-18

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

金星寿 ;

李芸燮 .

中国专利 :CN114256181A ,2022-03-29

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN117038738B ,2024-01-26

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

挂端哲弥 ;

田中哲弘 ;

浅见良信 .

中国专利 :CN102332471A ,2012-01-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

王怀峰 ;

艾瑞克·布劳恩 ;

汪玲 .

中国专利 :CN107275402A ,2017-10-20

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