一种在云母上化学气相沉积生成Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Te纳米片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210732077.2

申请日：

2022-06-24

公开(公告)号：

CN115041677B

公开(公告)日：

2024-02-02

发明(设计)人：

李俊张淦博赵楠荫

申请人：

湘潭大学

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学

IPC主分类号：

B22F1/054

IPC分类号：

C23C16/30 C23C16/52

代理机构：

深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393

代理人：

夏声平

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省湘潭市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种在云母上化学气相沉积生成Bi2O2Te纳米片的方法 [P].

李俊 ;

张淦博 ;

赵楠荫 .

中国专利 :CN115041677A ,2022-09-13

[2]

一种化学气相沉积制备二维Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体薄膜的方法 [P].

吴金雄 ;

王兵 ;

何育彧 .

中国专利 :CN117535648A ,2024-02-09

[3]

一种SiO<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>化学气相沉积制备方法 [P].

石新颖 ;

邵大伟 ;

许福朋 ;

于子翔 .

中国专利 :CN119640230A ,2025-03-18

[4]

一种Bi<sub>4</sub>O<sub>4</sub>SeCl<sub>2</sub>纳米片的制备方法 [P].

周剑 ;

马知遥 ;

谢凡 .

中国专利 :CN119082856A ,2024-12-06

[5]

一种制备Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se纳米片的低热固相化学方法 [P].

谢晶 ;

张发秀 ;

鲁振江 ;

曹亚丽 .

中国专利 :CN120398003A ,2025-08-01

[6]

基于化学气相沉积法制备ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的方法 [P].

王文杰 ;

李现旭 ;

高东文 ;

惠诗淇 .

中国专利 :CN117604492A ,2024-02-27

[7]

一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P].

吴金雄 ;

陈婉莹 ;

何育彧 .

中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30

[8]

基于化学气相传输法制备Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se晶体的方法 [P].

詹达 ;

毕聪智 ;

闫家旭 ;

景鹏涛 ;

鲍洋 ;

徐辑廉 ;

徐海 ;

刘雷 ;

申德振 .

中国专利 :CN118996614A ,2024-11-22

[9]

Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>纳米片催化剂及其制备方法和应用 [P].

张晓燕 ;

杨家泰 ;

张立学 ;

张圣楠 ;

刘康 .

中国专利 :CN119332290A ,2025-01-21

[10]

一种二维Cs<sub>2</sub>SnI<sub>6</sub>晶体的化学气相沉积制备方法及其应用 [P].

赵梅 ;

张礼杰 ;

谢军 ;

邹超 ;

金辉乐 ;

王舜 .

中国专利 :CN118028971A ,2024-05-14

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