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一种化学气相沉积制备二维Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体薄膜的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311466679.9
申请日：
2023-11-07
公开(公告)号：
CN117535648A
公开(公告)日：
2024-02-09
发明(设计)人：
吴金雄 王兵 何育彧
申请人：
南开大学
申请人地址：
300000 天津市津南区海河教育园同砚路38号
IPC主分类号：
C23C16/30
IPC分类号：
B82Y40/00 H01L21/02
代理机构：
天津耀达律师事务所 12223
代理人：
邵洪军
法律状态：
公开
国省代码：
河北省 衡水市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-02-09 公开 公开
2024-03-01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/30申请日:20231107
共 50 条
[1]
一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P]. 
吴金雄 ;
陈婉莹 ;
何育彧 .
中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30
[2]
一种基于二维Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体的快速超灵敏光电探测器及其制备方法 [P]. 
吴金雄 ;
张磊 .
中国专利 :CN117766604A ,2024-03-26
[3]
基于化学气相沉积法制备ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的方法 [P]. 
王文杰 ;
李现旭 ;
高东文 ;
惠诗淇 .
中国专利 :CN117604492A ,2024-02-27
[4]
一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P]. 
唐家轩 ;
徐锋 ;
徐桂舟 ;
陈喜 ;
陈雨莹 .
中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01
[5]
一种二维Cs<sub>2</sub>SnI<sub>6</sub>晶体的化学气相沉积制备方法及其应用 [P]. 
赵梅 ;
张礼杰 ;
谢军 ;
邹超 ;
金辉乐 ;
王舜 .
中国专利 :CN118028971A ,2024-05-14
[6]
一种毫米级Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵天歌 ;
胡伟达 ;
陈茂华 ;
王振 ;
白雨卓 ;
王芳 .
中国专利 :CN120573656B ,2025-10-28
[7]
一种毫米级Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵天歌 ;
胡伟达 ;
陈茂华 ;
王振 ;
白雨卓 ;
王芳 .
中国专利 :CN120573656A ,2025-09-02
[8]
一种SiO<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>化学气相沉积制备方法 [P]. 
石新颖 ;
邵大伟 ;
许福朋 ;
于子翔 .
中国专利 :CN119640230A ,2025-03-18
[9]
一种磁控溅射制备大面积Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜的方法 [P]. 
付迪 ;
陈喜 ;
唐佳轩 ;
徐桂舟 ;
徐锋 .
中国专利 :CN118222989A ,2024-06-21
[10]
一种在云母上化学气相沉积生成Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Te纳米片的方法 [P]. 
李俊 ;
张淦博 ;
赵楠荫 .
中国专利 :CN115041677B ,2024-02-02
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