一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410913956.4

申请日：

2024-07-09

公开(公告)号：

CN118880257A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

唐家轩徐锋徐桂舟陈喜陈雨莹

申请人：

金陵科技学院

申请人地址：

211169 江苏省南京市江宁区弘景大道99号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/06 C23C14/08

代理机构：

南京钟山专利代理有限公司 32252

代理人：

刘佳慧

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20240709

共 50 条

[1]

一种全磁控溅射制备晶圆级Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se/HfO<sub>2</sub>薄膜晶体管的方法 [P].

陈喜 ;

殷鑫涛 ;

吕朋浩 .

中国专利 :CN119008410A ,2024-11-22

[2]

一种磁控溅射制备大面积Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜的方法 [P].

付迪 ;

陈喜 ;

唐佳轩 ;

徐桂舟 ;

徐锋 .

中国专利 :CN118222989A ,2024-06-21

[3]

一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P].

吴金雄 ;

陈婉莹 ;

何育彧 .

中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30

[4]

逆向气流限域生长β-Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se异质结及其光电二极管 [P].

刘明强 ;

潘辉 ;

毕津顺 ;

肖文君 ;

艾尔肯·阿不都瓦衣提 ;

王刚 ;

郝乐 ;

张良 ;

高昌松 ;

王德贵 ;

吴艳 ;

刘雪飞 ;

王珍 .

中国专利 :CN120826061A ,2025-10-21

[5]

一种TiO<sub>2</sub>/W<sub>x</sub>V<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>/ZrO<sub>2</sub>多层薄膜智能节能涂层系统及其制备方法 [P].

卢寅梅 ;

何云斌 ;

何子龙 ;

于嘉诚 ;

李派 ;

黎明锴 ;

陈剑 ;

徐文峰 .

中国专利 :CN119710548A ,2025-03-28

[6]

一种S型异质结Bi<sub>2</sub>Sn<sub>2</sub>O<sub>7</sub>/Bi<sub>4</sub>O<sub>5</sub>I<sub>2</sub>复合光催化剂的制备方法 [P].

周明华 ;

武慧中 ;

胡中正 ;

梁瑞恒 .

中国专利 :CN120919990A ,2025-11-11

[7]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31

[8]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16

[9]

一种高性能Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>热电薄膜的制备方法 [P].

李志亮 ;

高志 ;

王淑芳 ;

侯帅航 ;

宁兴坤 .

中国专利 :CN120006215A ,2025-05-16

[10]

一种(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜原位退火装置及方法 [P].

李阳 ;

岳林凯 ;

徐梦凡 ;

张百涛 .

中国专利 :CN120384269B ,2025-11-04

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