一种全磁控溅射制备晶圆级Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se/HfO<sub>2</sub>薄膜晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411066367.3

申请日：

2024-08-05

公开(公告)号：

CN119008410A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

陈喜殷鑫涛吕朋浩

申请人：

南京理工大学

申请人地址：

210094 江苏省南京市孝陵卫200号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

C23C14/06 C23C14/08 C23C14/18 C23C14/35 C23C14/58 H01L29/786 H01L21/02 H01L21/443

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

邹伟红

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	公开	公开
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240805

共 50 条

[1]

一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P].

唐家轩 ;

徐锋 ;

徐桂舟 ;

陈喜 ;

陈雨莹 .

中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01

[2]

一种磁控溅射制备大面积Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜的方法 [P].

付迪 ;

陈喜 ;

唐佳轩 ;

徐桂舟 ;

徐锋 .

中国专利 :CN118222989A ,2024-06-21

[3]

一种沟槽型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜晶体管及其制备方法 [P].

郭建廷 ;

张钰琳 .

中国专利 :CN119789494A ,2025-04-08

[4]

一种二维接触Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

陈喜 ;

吕朋浩 ;

殷鑫涛 .

中国专利 :CN119008703A ,2024-11-22

[5]

一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO<sub>2</sub>双有源层异质结薄膜晶体管的制备方法 [P].

潘文高 ;

赵美金 ;

肖丽丽 ;

孙苏阳 ;

冯世壕 ;

顾凯杰 ;

荆海林 ;

李莹 ;

张峰浩 ;

张雪凤 ;

朱治愿 ;

岳鹏飞 ;

张国赏 .

中国专利 :CN120224718A ,2025-06-27

[6]

一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P].

吴金雄 ;

陈婉莹 ;

何育彧 .

中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30

[7]

基于化学气相传输法制备Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se晶体的方法 [P].

詹达 ;

毕聪智 ;

闫家旭 ;

景鹏涛 ;

鲍洋 ;

徐辑廉 ;

徐海 ;

刘雷 ;

申德振 .

中国专利 :CN118996614A ,2024-11-22

[8]

一种Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>荧光玻璃及其制备方法 [P].

曹永泽 ;

李美龄 ;

陈宝玖 .

中国专利 :CN120647150A ,2025-09-16

[9]

(010)取向β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜的制备方法 [P].

武松浩 ;

张文瑞 ;

刘凯森 ;

叶继春 .

中国专利 :CN120967496A ,2025-11-18

[10]

一种新型光催化材料Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>/Bi，N，S-TiO<sub>2</sub>的制备方法 [P].

任强 ;

乌兰 ;

王利香 .

中国专利 :CN120132881A ,2025-06-13

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