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一种沟槽型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜晶体管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411877751.1
申请日：
2024-12-19
公开(公告)号：
CN119789494A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
郭建廷 张钰琳
申请人：
泉州信息工程学院
申请人地址：
362008 福建省泉州市丰泽区博东路249号
IPC主分类号：
H10D30/67
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/82
代理机构：
厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227
代理人：
陈蓓蓓
法律状态：
公开
国省代码：
福建省 泉州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-08 公开 公开
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20241219
共 50 条
[1]
一种全磁控溅射制备晶圆级Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se/HfO<sub>2</sub>薄膜晶体管的方法 [P]. 
陈喜 ;
殷鑫涛 ;
吕朋浩 .
中国专利 :CN119008410A ,2024-11-22
[2]
具有SiO<sub>2</sub>阻挡层的垂直结构Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体管及制备方法 [P]. 
周弘 ;
孙斯瀚 ;
王晨璐 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN116013989B ,2025-12-02
[3]
具有NiO<sub>x</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>鳍式场效应晶体管及制备方法 [P]. 
周弘 ;
孙斯瀚 ;
向明杰 ;
王晨璐 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN118315412A ,2024-07-09
[4]
一种具有κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法 [P]. 
叶建东 ;
许轲 ;
万昌锦 ;
雒玉蓉 ;
李展华 ;
任芳芳 ;
顾书林 ;
张荣 .
中国专利 :CN119230597B ,2025-05-09
[5]
一种具有κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法 [P]. 
叶建东 ;
许轲 ;
万昌锦 ;
雒玉蓉 ;
李展华 ;
任芳芳 ;
顾书林 ;
张荣 .
中国专利 :CN119230597A ,2024-12-31
[6]
(010)取向β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜的制备方法 [P]. 
武松浩 ;
张文瑞 ;
刘凯森 ;
叶继春 .
中国专利 :CN120967496A ,2025-11-18
[7]
一种透明可折叠的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体管及制备方法和应用 [P]. 
李晓茜 ;
方慈浙 ;
刘艳 ;
韩根全 .
中国专利 :CN117542739A ,2024-02-09
[8]
一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO<sub>2</sub>双有源层异质结薄膜晶体管的制备方法 [P]. 
潘文高 ;
赵美金 ;
肖丽丽 ;
孙苏阳 ;
冯世壕 ;
顾凯杰 ;
荆海林 ;
李莹 ;
张峰浩 ;
张雪凤 ;
朱治愿 ;
岳鹏飞 ;
张国赏 .
中国专利 :CN120224718A ,2025-06-27
[9]
一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的生长方法 [P]. 
张涛 ;
冯倩 ;
张雅超 ;
张进成 ;
马佩军 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113571404B ,2024-07-12
[10]
一种二维接触Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
陈喜 ;
吕朋浩 ;
殷鑫涛 .
中国专利 :CN119008703A ,2024-11-22
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