一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO<sub>2</sub>双有源层异质结薄膜晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510401493.8

申请日：

2025-04-01

公开(公告)号：

CN120224718A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

潘文高赵美金肖丽丽孙苏阳冯世壕顾凯杰荆海林李莹张峰浩张雪凤朱治愿岳鹏飞张国赏

申请人：

河南省科学院材料研究所河南省科学院

申请人地址：

450000 河南省郑州市高新技术开发区长椿路11号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/67 H10D62/82

代理机构：

北京博识智信专利代理事务所(普通合伙) 16067

代理人：

权太龙

法律状态：

公开

国省代码：

河南省郑州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250401

共 50 条

[1]

一种沟槽型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜晶体管及其制备方法 [P].

郭建廷 ;

张钰琳 .

中国专利 :CN119789494A ,2025-04-08

[2]

一种全磁控溅射制备晶圆级Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se/HfO<sub>2</sub>薄膜晶体管的方法 [P].

陈喜 ;

殷鑫涛 ;

吕朋浩 .

中国专利 :CN119008410A ,2024-11-22

[3]

基于NiO<sub>x</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管 [P].

周弘 ;

岳红庆 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119153502B ,2025-12-19

[4]

基于NiO<sub>x</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管 [P].

周弘 ;

岳红庆 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119153502A ,2024-12-17

[5]

具有SiO<sub>2</sub>阻挡层的垂直结构Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体管及制备方法 [P].

周弘 ;

孙斯瀚 ;

王晨璐 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN116013989B ,2025-12-02

[6]

一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/2D-MoS<sub>2</sub>异质结薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

刘斌 ;

谢明玲 ;

王向谦 ;

员朝鑫 ;

强进 .

中国专利 :CN117626196A ,2024-03-01

[7]

一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/2D-MoS<sub>2</sub>异质结薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

刘斌 ;

谢明玲 ;

王向谦 ;

员朝鑫 ;

强进 .

中国专利 :CN117626196B ,2025-02-25

[8]

具有NiO<sub>x</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>鳍式场效应晶体管及制备方法 [P].

周弘 ;

孙斯瀚 ;

向明杰 ;

王晨璐 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118315412A ,2024-07-09

[9]

一种α-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>@Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>核壳椭球的制备方法 [P].

张鑫 ;

吴晨 ;

程禹豪 ;

牛永安 .

中国专利 :CN119320167A ,2025-01-17

[10]

一种具有κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法 [P].

叶建东 ;

许轲 ;

万昌锦 ;

雒玉蓉 ;

李展华 ;

任芳芳 ;

顾书林 ;

张荣 .

中国专利 :CN119230597B ,2025-05-09

← 1 2 3 4 5 →