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一种二维接触Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜晶体管及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411066365.4
申请日：
2024-08-05
公开(公告)号：
CN119008703A
公开(公告)日：
2024-11-22
发明(设计)人：
陈喜 吕朋浩 殷鑫涛
申请人：
南京理工大学
申请人地址：
210094 江苏省南京市孝陵卫200号
IPC主分类号：
H01L29/786
IPC分类号：
H01L29/24 H01L21/02 H01L21/34
代理机构：
南京理工大学专利中心 32203
代理人：
邹伟红
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 南京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-10 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20240805
2024-11-22 公开 公开
共 50 条
[1]
一种全磁控溅射制备晶圆级Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se/HfO<sub>2</sub>薄膜晶体管的方法 [P]. 
陈喜 ;
殷鑫涛 ;
吕朋浩 .
中国专利 :CN119008410A ,2024-11-22
[2]
一种沟槽型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
郭建廷 ;
张钰琳 .
中国专利 :CN119789494A ,2025-04-08
[3]
一种化学气相沉积制备二维Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体薄膜的方法 [P]. 
吴金雄 ;
王兵 ;
何育彧 .
中国专利 :CN117535648A ,2024-02-09
[4]
一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P]. 
吴金雄 ;
陈婉莹 ;
何育彧 .
中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30
[5]
基于超宽带隙半导体GeO<sub>2</sub>结构的薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
马远骁 ;
戴德 ;
王业亮 .
中国专利 :CN119815889A ,2025-04-11
[6]
一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P]. 
唐家轩 ;
徐锋 ;
徐桂舟 ;
陈喜 ;
陈雨莹 .
中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01
[7]
具有SiO<sub>2</sub>阻挡层的垂直结构Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体管及制备方法 [P]. 
周弘 ;
孙斯瀚 ;
王晨璐 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN116013989B ,2025-12-02
[8]
一种制备In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>半导体晶体的方法 [P]. 
金敏 ;
林思琪 ;
吴鸿辉 ;
师千慧 ;
徐浩 .
中国专利 :CN120465093A ,2025-08-12
[9]
基于超宽带隙半导体GeO<sub>2</sub>的晶圆级薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
马远骁 ;
戴德 ;
王业亮 .
中国专利 :CN120129280A ,2025-06-10
[10]
一种磁控溅射制备大面积Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜的方法 [P]. 
付迪 ;
陈喜 ;
唐佳轩 ;
徐桂舟 ;
徐锋 .
中国专利 :CN118222989A ,2024-06-21
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