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基于超宽带隙半导体GeO<sub>2</sub>结构的薄膜晶体管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411804210.6
申请日：
2024-12-09
公开(公告)号：
CN119815889A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
马远骁 戴德 王业亮
申请人：
北京理工大学
申请人地址：
100000 北京市海淀区中关村南大街5号
IPC主分类号：
H10D30/67
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/17 H10D62/80
代理机构：
深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503
代理人：
文蓉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20241209
2025-04-11 公开 公开
共 50 条
[1]
基于超宽带隙半导体GeO<sub>2</sub>的晶圆级薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
马远骁 ;
戴德 ;
王业亮 .
中国专利 :CN120129280A ,2025-06-10
[2]
基于高k栅介质与GeO<sub>2</sub>结构的薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
马远骁 ;
戴德 ;
王业亮 .
中国专利 :CN119815890A ,2025-04-11
[3]
薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法 [P]. 
邱勇 ;
董桂芳 ;
王小燕 .
中国专利 :CN101339959A ,2009-01-07
[4]
半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
西村麻美 ;
川岛绘美 ;
笠见雅司 ;
松浦正英 ;
糸濑将之 .
中国专利 :CN103155154A ,2013-06-12
[5]
一种二维接触Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
陈喜 ;
吕朋浩 ;
殷鑫涛 .
中国专利 :CN119008703A ,2024-11-22
[6]
薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P]. 
今藤敏和 ;
岸田英幸 .
中国专利 :CN108447775B ,2018-08-24
[7]
薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P]. 
今藤敏和 ;
岸田英幸 .
中国专利 :CN104733515A ,2015-06-24
[8]
薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置 [P]. 
今藤敏和 ;
岸田英幸 .
中国专利 :CN101814529A ,2010-08-25
[9]
薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P]. 
今藤敏和 ;
岸田英幸 .
中国专利 :CN115332053A ,2022-11-11
[10]
有机半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
韩敞昱 .
中国专利 :CN1976084B ,2007-06-06
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