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(010)取向β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510953562.6
申请日：
2025-07-10
公开(公告)号：
CN120967496A
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
武松浩 张文瑞 刘凯森 叶继春
申请人：
甬江实验室
申请人地址：
315200 浙江省宁波市镇海区庄市街道兴海南路1519号
IPC主分类号：
C30B23/02
IPC分类号：
C30B29/16
代理机构：
杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250
代理人：
储照良
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-05 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/02申请日:20250710
2025-11-18 公开 公开
共 50 条
[1]
一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的制备方法及β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜 [P]. 
张雅超 ;
张涛 ;
冯倩 ;
张进成 ;
马佩军 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113871303B ,2025-08-19
[2]
一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的生长方法 [P]. 
张涛 ;
冯倩 ;
张雅超 ;
张进成 ;
马佩军 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113571404B ,2024-07-12
[3]
一种单畴κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>外延薄膜的制备方法 [P]. 
李阳 ;
展茜茜 .
中国专利 :CN121023639A ,2025-11-28
[4]
在蓝宝石衬底上生长(310)取向的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶厚膜的方法 [P]. 
葛坤鹏 ;
孟冬冬 ;
陈政委 ;
付少军 ;
王可 .
中国专利 :CN120545169A ,2025-08-26
[5]
一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
陈旭 ;
孟冬冬 ;
葛坤鹏 ;
陈政委 .
中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16
[6]
一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
陈旭 ;
孟冬冬 ;
葛坤鹏 ;
陈政委 .
中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31
[7]
采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的方法及β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜 [P]. 
周泽民 ;
王佳琳 ;
彭彦军 ;
苏毅 ;
周雄 ;
刘鹏 ;
陈健禧 ;
何启科 ;
彭湃 ;
王璐 .
中国专利 :CN118186582A ,2024-06-14
[8]
一种P型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
夏宁 ;
李成 .
中国专利 :CN120666438A ,2025-09-19
[9]
一种P型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
夏宁 ;
李成 .
中国专利 :CN120666438B ,2025-11-25
[10]
一种基于脉冲法的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
冯倩 ;
张涛 ;
张雅超 ;
张进成 ;
马佩军 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113643960B ,2024-03-19
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