一种单畴κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>外延薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511535191.6

申请日：

2025-10-27

公开(公告)号：

CN121023639A

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

李阳展茜茜

申请人：

山东大学

申请人地址：

250000 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/16 H01L21/02

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

张晓鹏

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-28	公开	公开
2025-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20251027

共 50 条

[1]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的制备方法及β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜 [P].

张雅超 ;

张涛 ;

冯倩 ;

张进成 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113871303B ,2025-08-19

[2]

(010)取向β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶薄膜的制备方法 [P].

武松浩 ;

张文瑞 ;

刘凯森 ;

叶继春 .

中国专利 :CN120967496A ,2025-11-18

[3]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16

[4]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31

[5]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的生长方法 [P].

张涛 ;

冯倩 ;

张雅超 ;

张进成 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113571404B ,2024-07-12

[6]

一种基于范德华外延生长的高质量β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的制备方法 [P].

李思齐 ;

马剑钢 ;

王宏彬 ;

李鹏 .

中国专利 :CN119194397A ,2024-12-27

[7]

采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的方法及β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜 [P].

周泽民 ;

王佳琳 ;

彭彦军 ;

苏毅 ;

周雄 ;

刘鹏 ;

陈健禧 ;

何启科 ;

彭湃 ;

王璐 .

中国专利 :CN118186582A ,2024-06-14

[8]

一种高质量ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>外延薄膜的快速生长方法 [P].

冯倩 ;

王垚 ;

武文凯 ;

王龙 ;

张雅超 ;

张进成 .

中国专利 :CN118763141A ,2024-10-11

[9]

一种LiGa<sub>5</sub>O<sub>8</sub>外延薄膜及其制备方法与应用 [P].

李阳 ;

展茜茜 ;

徐梦凡 ;

张锦秋 ;

岳林凯 .

中国专利 :CN119932709A ,2025-05-06

[10]

一种沟槽型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜晶体管及其制备方法 [P].

郭建廷 ;

张钰琳 .

中国专利 :CN119789494A ,2025-04-08

← 1 2 3 4 5 →