一种LiGa<sub>5</sub>O<sub>8</sub>外延薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510428284.2

申请日：

2025-04-08

公开(公告)号：

CN119932709A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

李阳展茜茜徐梦凡张锦秋岳林凯

申请人：

山东大学

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B25/14

IPC分类号：

C30B29/22

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

庄华红

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/14申请日:20250408

共 50 条

[1]

一种单畴κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>外延薄膜的制备方法 [P].

李阳 ;

展茜茜 .

中国专利 :CN121023639A ,2025-11-28

[2]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31

[3]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16

[4]

一种Cu<sub>4</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法、应用 [P].

沈永龙 ;

楚旭柯 ;

张辰晗 ;

李珍珍 ;

邵国胜 .

中国专利 :CN116657107B ,2025-12-16

[5]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的制备方法及β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜 [P].

张雅超 ;

张涛 ;

冯倩 ;

张进成 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113871303B ,2025-08-19

[6]

一种Na<sub><sub>4</sub></sub>MnCr(PO<sub><sub>4</sub></sub>)<sub><sub>3</sub></sub>正极材料及其制备方法与应用 [P].

蒋凯 ;

陈索 ;

周展鹏 ;

王玮 .

中国专利 :CN120698432A ,2025-09-26

[7]

一种Bi<sub>1.8</sub>Sm<sub>0.2</sub>O<sub>3</sub>铁电薄膜及其制备方法和应用 [P].

王振兴 ;

张鹏宇 ;

李淑荟 ;

王艳荣 ;

王峰 ;

詹雪莹 ;

刘鑫垚 ;

焉涛 .

中国专利 :CN120250143A ,2025-07-04

[8]

Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>及其制备方法和应用 [P].

夏斯阳 ;

陈红 ;

简磊 ;

李松江 ;

潘闻景 .

中国专利 :CN117342600A ,2024-01-05

[9]

Co<sub>3</sub>V<sub>2</sub>O<sub>8</sub>/Co<sub>2</sub>V<sub>2</sub>O<sub>7</sub>纳米颗粒修饰Co<sub>9</sub>S<sub>8</sub>纳米管阵列的制备方法及其应用 [P].

刘瑜 ;

潘梦洁 ;

杨涵琳 ;

郭弈 .

中国专利 :CN120841579A ,2025-10-28

[10]

一种各向异性差异减小的Bi<sub>6</sub>Ti<sub>3</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>18</sub>薄膜及其制备方法与应用 [P].

周云鹏 ;

刘琰 ;

张彦霞 ;

刘全龙 ;

丰秀蓉 ;

陈介煜 ;

唐哲红 .

中国专利 :CN121174676A ,2025-12-19

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