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一种高性能Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>热电薄膜的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510289884.5
申请日：
2025-03-12
公开(公告)号：
CN120006215A
公开(公告)日：
2025-05-16
发明(设计)人：
李志亮 高志 王淑芳 侯帅航 宁兴坤
申请人：
河北大学
申请人地址：
071002 河北省保定市莲池区五四东路180号
IPC主分类号：
C23C14/06
IPC分类号：
C23C14/28 H10N10/852
代理机构：
北京知艺互联知识产权代理有限公司 16137
代理人：
陆颖
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
河北省 石家庄市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/06申请日:20250312
2025-05-16 公开 公开
共 50 条
[1]
一种基于后碲化处理的高功率因子Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜的制备方法 [P]. 
李志亮 ;
高志 ;
王淑芳 ;
侯帅航 ;
宁兴坤 .
中国专利 :CN119876863A ,2025-04-25
[2]
一种基于后碲化处理的高功率因子Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜的制备方法 [P]. 
李志亮 ;
高志 ;
王淑芳 ;
侯帅航 ;
宁兴坤 .
中国专利 :CN119876863B ,2025-09-05
[3]
一种多周期Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电薄膜材料及其制备方法 [P]. 
王国祥 ;
周焱 ;
陈颖琦 ;
陈益敏 ;
沈祥 .
中国专利 :CN118613131A ,2024-09-06
[4]
一种多周期Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>/ZnSb热电薄膜材料及其制备方法 [P]. 
王国祥 ;
孟凡震 ;
郭兆清 ;
陈颖琦 ;
周焱 ;
王浩浩 .
中国专利 :CN118028749A ,2024-05-14
[5]
一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P]. 
唐家轩 ;
徐锋 ;
徐桂舟 ;
陈喜 ;
陈雨莹 .
中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01
[6]
一种制备混合相Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>+BiSe半导体热电薄膜的方法 [P]. 
彭立静 ;
宋贵宏 ;
高健 ;
朱会敏 .
中国专利 :CN120683463A ,2025-09-23
[7]
一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
邹琪 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
商红静 ;
黄大兴 ;
谢波玮 ;
张琳 ;
董浩 ;
王锴 .
中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06
[8]
一种Bi<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>+BiSe混合相半导体热电薄膜的制备方法 [P]. 
彭立静 ;
宋贵宏 ;
李秀荘 ;
朱会敏 .
中国专利 :CN120683464A ,2025-09-23
[9]
Cu<sub>2</sub>Se柔性热电薄膜及其制备方法 [P]. 
栾巍 ;
史长凡 .
中国专利 :CN120358921A ,2025-07-22
[10]
一种柔性Ag<sub>2</sub>Te<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>纳米线薄膜及其制备方法 [P]. 
孟秋风 ;
王光晨 ;
杜永 .
中国专利 :CN118900613A ,2024-11-05
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