Cu<sub>2</sub>Se柔性热电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510800211.1

申请日：

2025-06-16

公开(公告)号：

CN120358921A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

栾巍史长凡

申请人：

黄石弗莱迪尔电子科技有限公司

申请人地址：

435000 湖北省黄石市经济技术开发区黄金山工业新区王太东路

IPC主分类号：

H10N10/01

IPC分类号：

H10N10/852

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

谢洋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 10/01申请日:20250616
2025-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种TiO<sub>2</sub>基柔性热电薄膜的制备方法 [P].

栾巍 ;

刘海强 .

中国专利 :CN118591249A ,2024-09-03

[2]

RGO/Cu<sub>1.75</sub>Te纳米线复合柔性热电薄膜的制备方法 [P].

杜永 ;

王蓉梅 ;

孟秋风 .

中国专利 :CN113707798B ,2024-04-16

[3]

一种超高择优取向柔性Cu<sub>x</sub>Se热电薄膜及其制备方法与应用 [P].

郑壮豪 ;

张栋梁 ;

陈跃星 .

中国专利 :CN114530545B ,2025-08-08

[4]

一种n型Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>Tx柔性热电薄膜及其调控方法 [P].

蒋丰兴 ;

万志亮 ;

徐景坤 ;

刘聪聪 ;

周卫强 ;

刘佩佩 ;

刘小芳 .

中国专利 :CN118748905A ,2024-10-08

[5]

一种高性能Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>热电薄膜的制备方法 [P].

李志亮 ;

高志 ;

王淑芳 ;

侯帅航 ;

宁兴坤 .

中国专利 :CN120006215A ,2025-05-16

[6]

一种柔性Ag<sub>2</sub>Te<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>纳米线薄膜及其制备方法 [P].

孟秋风 ;

王光晨 ;

杜永 .

中国专利 :CN118900613A ,2024-11-05

[7]

一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P].

邹琪 ;

丁发柱 ;

古宏伟 ;

商红静 ;

黄大兴 ;

谢波玮 ;

张琳 ;

董浩 ;

王锴 .

中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06

[8]

一种制备混合相Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>+BiSe半导体热电薄膜的方法 [P].

彭立静 ;

宋贵宏 ;

高健 ;

朱会敏 .

中国专利 :CN120683463A ,2025-09-23

[9]

MoSe<sub>2</sub>@C/PEDOT:PSS复合热电薄膜的制备方法 [P].

杜永 ;

黄荆龙 ;

王磊 ;

孟秋风 .

中国专利 :CN115241363B ,2025-06-03

[10]

硒化制备SnSe/SnSe<sub>2</sub>复合热电薄膜的方法 [P].

薛宇利 ;

王淑芳 ;

李志亮 ;

王艾艾 ;

王景玄 ;

王江龙 .

中国专利 :CN113937210B ,2024-05-10

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