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一种制备混合相Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>+BiSe半导体热电薄膜的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510949263.5
申请日：
2025-07-10
公开(公告)号：
CN120683463A
公开(公告)日：
2025-09-23
发明(设计)人：
彭立静 宋贵宏 高健 朱会敏
申请人：
沈阳工业大学
申请人地址：
110870 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区
IPC主分类号：
C23C14/35
IPC分类号：
H10N10/01 H10N10/852 H10N10/10 C23C14/06 C23C14/54 C23C14/34 C23C14/58
代理机构：
沈阳技联专利代理有限公司 21205
代理人：
张志刚
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20250710
2025-09-23 公开 公开
共 50 条
[1]
一种Bi<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>+BiSe混合相半导体热电薄膜的制备方法 [P]. 
彭立静 ;
宋贵宏 ;
李秀荘 ;
朱会敏 .
中国专利 :CN120683464A ,2025-09-23
[2]
一种高性能Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
李志亮 ;
高志 ;
王淑芳 ;
侯帅航 ;
宁兴坤 .
中国专利 :CN120006215A ,2025-05-16
[3]
一种制备In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>半导体晶体的方法 [P]. 
金敏 ;
林思琪 ;
吴鸿辉 ;
师千慧 ;
徐浩 .
中国专利 :CN120465093A ,2025-08-12
[4]
一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P]. 
吴金雄 ;
陈婉莹 ;
何育彧 .
中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30
[5]
一种化学气相沉积制备二维Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体薄膜的方法 [P]. 
吴金雄 ;
王兵 ;
何育彧 .
中国专利 :CN117535648A ,2024-02-09
[6]
一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P]. 
唐家轩 ;
徐锋 ;
徐桂舟 ;
陈喜 ;
陈雨莹 .
中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01
[7]
一种磁控溅射制备大面积Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜的方法 [P]. 
付迪 ;
陈喜 ;
唐佳轩 ;
徐桂舟 ;
徐锋 .
中国专利 :CN118222989A ,2024-06-21
[8]
一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
邹琪 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
商红静 ;
黄大兴 ;
谢波玮 ;
张琳 ;
董浩 ;
王锴 .
中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06
[9]
一种毫米级Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵天歌 ;
胡伟达 ;
陈茂华 ;
王振 ;
白雨卓 ;
王芳 .
中国专利 :CN120573656A ,2025-09-02
[10]
一种毫米级Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵天歌 ;
胡伟达 ;
陈茂华 ;
王振 ;
白雨卓 ;
王芳 .
中国专利 :CN120573656B ,2025-10-28
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