一种基于二维Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体的快速超灵敏光电探测器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311780774.6
申请日
2023-12-22
公开(公告)号
CN117766604A
公开(公告)日
2024-03-26
发明(设计)人
吴金雄 张磊
申请人
南开大学
申请人地址
300350 天津市津南区海河教育园同砚路38号
IPC主分类号
H01L31/032
IPC分类号
H01L31/09 H01L31/18
代理机构
天津耀达律师事务所 12223
代理人
邵洪军
法律状态
公开
国省代码
河北省 衡水市
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共 50 条
[1]
一种化学气相沉积制备二维Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体薄膜的方法 [P]. 
吴金雄 ;
王兵 ;
何育彧 .
中国专利 :CN117535648A ,2024-02-09
[2]
一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途 [P]. 
吴金雄 ;
陈婉莹 ;
何育彧 .
中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30
[3]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
白甜甜 ;
顾培民 .
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[4]
一种基于二维LiInP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub>的光电探测器及制备方法 [P]. 
王善朋 ;
孙蓝静 ;
马超 ;
陶绪堂 .
中国专利 :CN117936625A ,2024-04-26
[5]
一种PdSe<sub>2</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法 [P]. 
刘明强 ;
张令 ;
毕津顺 ;
肖文君 ;
艾尔肯·阿不都瓦衣提 ;
王刚 ;
郝乐 ;
高昌松 ;
王德贵 ;
吴艳 ;
刘雪飞 ;
王珍 .
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[6]
一种制备双波段Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se/CdS异质结光电探测器的方法 [P]. 
王前进 ;
谭秋红 ;
张启程 ;
刘江 ;
刘应开 .
中国专利 :CN119730445A ,2025-03-28
[7]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P]. 
张文瑞 ;
张金福 ;
王维 ;
章建国 ;
叶继春 .
中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29
[8]
一种提升α-In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>基二维光电探测器性能的方法 [P]. 
王金斌 ;
罗云帆 ;
侯鹏飞 ;
钟向丽 .
中国专利 :CN115985994B ,2025-07-04
[9]
三维海胆状Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S或ZnO/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用 [P]. 
高世勇 ;
耿秋丹 ;
韩明睿 ;
张荣科 ;
周起成 ;
王金忠 .
中国专利 :CN119342939A ,2025-01-21
[10]
三维海胆状Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S或ZnO/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用 [P]. 
高世勇 ;
耿秋丹 ;
韩明睿 ;
张荣科 ;
周起成 ;
王金忠 .
中国专利 :CN119342939B ,2025-10-14