共 50 条
[1]
[2]
一种硒化铋氧化转化制备Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>的方法及所得Bi<sub>3</sub>O<sub>2.5</sub>Se<sub>2</sub>半导体材料的用途
[P].
中国专利 :CN121225542A ,2025-12-30
[3]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法
[P].
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[4]
[5]
一种PdSe<sub>2</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法
[P].
中国专利 :CN120786977A ,2025-10-14
[6]
[7]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法
[P].
中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29
[8]
[9]
三维海胆状Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S或ZnO/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用
[P].
中国专利 :CN119342939A ,2025-01-21
[10]
三维海胆状Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S或ZnO/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用
[P].
中国专利 :CN119342939B ,2025-10-14

