共 50 条
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基于SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>的PEC型光电探测器及SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>异质结的制备方法
[P].
中国专利 :CN114812805B ,2025-12-19
[3]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法
[P].
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[4]
三维海胆状Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S或ZnO/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用
[P].
中国专利 :CN119342939A ,2025-01-21
[5]
三维海胆状Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S或ZnO/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用
[P].
中国专利 :CN119342939B ,2025-10-14
[6]
一种基于2D Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/PdTe<sub>2</sub>/Si异质结的宽带自驱动光电探测器及其制备方法
[P].
中国专利 :CN119677188A ,2025-03-21
[7]
MoTe<sub>2</sub>/CdS<sub>0.42</sub>Se<sub>0.58</sub>薄片异质结光电探测器及制备方法
[P].
中国专利 :CN118156339A ,2024-06-07
[8]
MoTe<sub>2</sub>/CdS<sub>0.42</sub>Se<sub>0.58</sub>薄片异质结光电探测器及制备方法
[P].
中国专利 :CN118156339B ,2024-11-12
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