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MoTe<sub>2</sub>/CdS<sub>0.42</sub>Se<sub>0.58</sub>薄片异质结光电探测器及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311827938.6
申请日：
2023-12-28
公开(公告)号：
CN118156339B
公开(公告)日：
2024-11-12
发明(设计)人：
谭秋红 王前进 马然 刘应开
申请人：
云南师范大学
申请人地址：
650500 云南省昆明市呈贡区吴家营聚贤街70号
IPC主分类号：
H01L31/0336
IPC分类号：
H01L31/032 H01L31/0296 H01L31/109 H01L31/18
代理机构：
昆明金科智诚知识产权代理事务所(普通合伙) 53216
代理人：
胡亚兰
法律状态：
公开
国省代码：
云南省 昆明市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-07 公开 公开
2024-11-12 授权 授权
2024-06-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0336申请日:20231228
共 50 条
[1]
MoTe<sub>2</sub>/CdS<sub>0.42</sub>Se<sub>0.58</sub>薄片异质结光电探测器及制备方法 [P]. 
谭秋红 ;
王前进 ;
马然 ;
刘应开 .
中国专利 :CN118156339A ,2024-06-07
[2]
一种制备双波段Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se/CdS异质结光电探测器的方法 [P]. 
王前进 ;
谭秋红 ;
张启程 ;
刘江 ;
刘应开 .
中国专利 :CN119730445A ,2025-03-28
[3]
CuO<sub>x</sub>/WSe<sub>2</sub>异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
孙颖慧 ;
蒋文贵 ;
王荣明 .
中国专利 :CN117727816A ,2024-03-19
[4]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
白甜甜 ;
顾培民 .
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[5]
基于SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>的PEC型光电探测器及SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>异质结的制备方法 [P]. 
周译玄 ;
刘玉琪 ;
卢春辉 ;
徐新龙 ;
黄媛媛 .
中国专利 :CN114812805B ,2025-12-19
[6]
基于MoS<sub>2</sub>-In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>异质结的多源信息探测器及制备方法 [P]. 
南海燕 ;
王萌 ;
邵枫 ;
肖少庆 ;
顾晓峰 .
中国专利 :CN118173628A ,2024-06-11
[7]
一种PdSe<sub>2</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法 [P]. 
刘明强 ;
张令 ;
毕津顺 ;
肖文君 ;
艾尔肯·阿不都瓦衣提 ;
王刚 ;
郝乐 ;
高昌松 ;
王德贵 ;
吴艳 ;
刘雪飞 ;
王珍 .
中国专利 :CN120786977A ,2025-10-14
[8]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P]. 
张文瑞 ;
张金福 ;
王维 ;
章建国 ;
叶继春 .
中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29
[9]
一种FeIn<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>光电探测器 [P]. 
贺俊淇 ;
王定官 ;
朱建宇 ;
聂东 ;
薛双湄 .
中国专利 :CN120076427A ,2025-05-30
[10]
半金属MoTe<sub>2</sub>改性方法及基于改性半金属MoTe<sub>2</sub>的光电探测器 [P]. 
郝昕 ;
邓世杰 ;
姚梦麒 ;
罗国凌 ;
孔繁林 ;
刘永 ;
冯明霞 ;
朱玥旭 ;
陆鼎 .
中国专利 :CN120583769A ,2025-09-02
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