雪崩光电二极管传感器和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880052551.9

申请日：

2018-09-21

公开(公告)号：

CN111052404B

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

若野寿史大竹悠介

申请人：

索尼半导体解决方案公司

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L31/107

IPC分类号：

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

瓮芳;陈桂香

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

雪崩光电二极管传感器和电子装置 [P].

若野寿史 ;

大竹悠介 .

中国专利 :CN111052404A ,2020-04-21

[2]

雪崩光电二极管传感器 [P].

伊东恭佑 ;

若野寿史 ;

大竹悠介 .

中国专利 :CN110036491A ,2019-07-19

[3]

雪崩光电二极管传感器 [P].

伊东恭佑 ;

若野寿史 ;

大竹悠介 .

日本专利 :CN110036491B ,2024-02-13

[4]

雪崩光电二极管传感器和测距装置 [P].

八木慎一郎 ;

若野寿史 .

中国专利 :CN113287204A ,2021-08-20

[5]

雪崩光电二极管传感器和测距装置 [P].

八木慎一郎 ;

若野寿史 .

日本专利 :CN113287204B ,2025-03-18

[6]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN100557826C ,2007-10-03

[7]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101431118B ,2009-05-13

[8]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

美国专利 :CN113540266B ,2025-05-27

[9]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

中国专利 :CN113540266A ,2021-10-22

[10]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101232057A ,2008-07-30

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