半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010838830.7
申请日
2020-08-19
公开(公告)号
CN113497052B
公开(公告)日
2024-03-26
发明(设计)人
位田友哉
申请人
铠侠股份有限公司
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H10B41/41
IPC分类号
H10B41/42 H10B43/40
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
张世俊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
位田友哉 .
中国专利 :CN113497052A ,2021-10-12
[2]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
坂口武史 ;
満野阳介 .
日本专利 :CN120676636A ,2025-09-19
[3]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
楢崎亮太 .
日本专利 :CN120676624A ,2025-09-19
[4]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
石月惠 .
日本专利 :CN121001353A ,2025-11-21
[5]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
内山泰宏 .
中国专利 :CN113497058A ,2021-10-12
[6]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
矢吹宗 .
中国专利 :CN112542463A ,2021-03-23
[7]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
池戸昭仁 .
日本专利 :CN118695602A ,2024-09-24
[8]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
鹿嶋孝之 .
中国专利 :CN115050747A ,2022-09-13
[9]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
吉水康人 ;
中木宽 ;
中岛一明 .
日本专利 :CN114188344B ,2025-10-21
[10]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
北本克征 .
日本专利 :CN118678686A ,2024-09-20