半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510213721.9

申请日：

2025-02-26

公开(公告)号：

CN120676636A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

坂口武史満野阳介

申请人：

铠侠股份有限公司

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H10B43/35

IPC分类号：

H10B43/20 H10B43/40 H10B41/20 H10B41/35 H10B41/41 H10B80/00

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/35申请日:20250226
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法 [P].

东悠介 ;

佐贯朋也 .

中国专利 :CN110190059B ,2019-08-30

[2]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

楢崎亮太 .

日本专利 :CN120676624A ,2025-09-19

[3]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

石月惠 .

日本专利 :CN121001353A ,2025-11-21

[4]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

内山泰宏 .

中国专利 :CN113497058A ,2021-10-12

[5]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

矢吹宗 .

中国专利 :CN112542463A ,2021-03-23

[6]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

池戸昭仁 .

日本专利 :CN118695602A ,2024-09-24

[7]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

菊岛史惠 .

中国专利 :CN112530959A ,2021-03-19

[8]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

位田友哉 .

日本专利 :CN113497052B ,2024-03-26

[9]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

鹿嶋孝之 .

中国专利 :CN115050747A ,2022-09-13

[10]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

永岛贤史 .

日本专利 :CN117750767A ,2024-03-22

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